Переход - тиристор
Cтраница 4
После отпирания тиристора Г2 в момент времени t ts ток через вентиль TI практически мгновенно спадает до нуля, а суммарный ток в коммутирующей цепи мгновенно увеличивается до величины тока нагрузки. Одновременно к крайним р-п переходам тиристора TI приложено отрицательное смещающее напряжение, которое ускоряет процесс восстановления его запирающей способности. Если длительность интервала времени Гз - t достаточно велика, то тиристор надежно восстановит свою запирающую способность н сможет обеспечить запирание прямого напряжения. [46]
Расчет удельного сопротивления исходного кремния проводится так же, как и для диода. Коллекторные и эмиттерные ( р-ти-па) переходы тиристоров имеют глубину залегания примерно в пределах от 75 до 125 мкм и формируются, как правило, путем диффузии алюминия. [47]
Если цепь управляющего электрода разомкнута, то тиристор выключен и напряжение на нагрузке равно нулю. Замыкание на короткое время ключа S вызывает переход тиристора в проводящее состояние, и практически все входное напряжение прикладывается к нагрузке. [48]
Если на тиристор подать резко нарастающее коммутируемое напряжение, то он может включиться даже в том случае, если напряжение на тиристоре меньше напряжения переключения. Этот эффект можно объяснить тем, что каждый р-п - переход тиристора представляет собой зависящую от напряжения емкость, величина которой уменьшается с увеличением напряжения, запирающего переход. [49]
Отпирающее напряжение на управляющем электроде UGT - это наименьшее значение постоянного напряжения на управляющем электроде, которое необходимо для переключения тиристора из закрытого состояния в открытое. Измеряется неотпирающее напряжение при 25 С, максимально и минимально допустимой температуре перехода тиристора и при напряжении в закрытом состоянии, равном 12 В. [50]
Как отмечалось в § 5.1, увеличение тока, проходящего через один из эмиттер-ных переходов тиристора, путем подачи соответствующего напряжения на управляющий электрод приводит к накоплению неравновесных носителей заряда в базовых областях тиристора и к переключению его в открытое состояние при анодном напряжении на тиристоре значительно меньшем, чем / вкл. При этом процесс накопления неравновесных носителей происходит не мгновенно; поэтому для включения тиристора необходимо, чтобы импульс управляющего тока имел определенную длительность и амплитуду. [51]
При ограниченной мощности источника питания цепи управления применяется схема, где в цепи управления включены конденсаторы емкостью 0 5 - 1 мкф. В этом случае в схеме должны быть диоды, предназначенные для защиты управляющих р - n - переходов тиристоров от обратного тока. [52]
 |
Ориентировочные характеристики тиристора Т-160. [53] |
Такая схема, кажущаяся на первый взгляд сложной, обеспечивает вторичные импульсы, параметры которых определяются характеристикой управления тиристора ( рис. VII. На этом рисунке кривые А и Б определяют разброс вольт-амперных прямых диодных характеристик управляющего р - n - перехода тиристоров данного типа. [54]
Страницы: 1 2 3 4