Переход - эмиттер-баз - транзистор
Cтраница 1
Переход эмиттер-база транзистора V2 смещен в обратном направлении, и в цепи коллектора протекает ток / к g Q, обусловленный неосновными носителями. [1]
Диод VD2 шунтирует переход эмиттер-база транзистора при прохождении обратной полуволны сигнала датчика. Резистор R7 и конденсатор С4 образуют цепь положительной обратной связи, позволяющей повысить чувствительность входа транзистора VTI. Диод VD5 защищает управляющую часть схемы коммутатора при аварийном изменении полярности тока. Стабилизатор VD3 с резистором R2 образует цепь защиты управляющих цепей коммутатора от импульсов перенапряжений в бортовой сети автомобиля. [2]
В момент равенства напряжений открывается переход эмиттер-база транзистора 7, и на коллекторном сопротивлении Н возникает импульс напряжения положительной полярности. Отметка заднего фронта выходного импульса фиксируется с некоторой задержкой tSi относительно заднего фронта входного импульса. [3]
 |
ТТЛ элемент с повышенной помехоустойчивостью. а - схема. б - характеристика вход-выход.| Эпюры изменения напряжений при переключении ТТЛ элемента. [4] |
Вначале через диод Д3 и переход эмиттер-база транзистора Tt протекал ток ( ток также протекал в цепи коллектор-эмиттер Ts), однако по мере уменьшения напряжения на коллекторе Т2 транзистор T запирается и напряжение на его эмиттере начинает очень медленно снижаться с большой постоянной времени, определяемой током, втекающим во входную цепь нагрузочного элемента, и емкостью выходного узла. [5]
Сигнал гетеродина модулирует нелинейное сопротивление перехода эмиттер-база транзистора смесительного каскада. Входной сигнал радиочастоты, который также приложен к нелинейному сопротивлению, приводит к появлению сигналов, имеющих частоты, равные сумме и разности частот входного сигнала и гетеродина. Один из полученных сигналов используется в дальнейшем в качестве сигнала промежуточной частоты. На частотах ниже 100 Мгц процесс преобразования при использовании транзистора 2N1406 происходит почти без потерь. На более высоких частотах эти потери становятся существенными. [6]
Конденсатор ЗС39 заряжается по цепи: источник питания 29 В, 3R76, переход эмиттер-база транзистора ЗТ1, переход коллектор - эмиттер транзистора ЗТ2, ЗД9, 3R70, 3R67, корпус. Конденсатор ЗС46 заряжается по цепи: источник питания 29 В, 3R76, переход эмиттер - коллектор транзистора ЗТ1, 3R71, переход база - эмиттер транзистора ЗТ2, ЗД9, 3R70, 3R67, корпус. В режиме насыщения конденсаторы ЗС39, ЗС46 продолжают заряжаться по экспоненциальному закону, определяемому сопротивлением насыщения транзистора ЗТ1 и сопротивлением перехода база - эмиттер другого транзистора. Замедление скорости заряда конденсатора ЗС46 приводит к уменьшению тока базы транзистора ЗТ2 до такого значения, при котором он скачком выходит из насыщения ( запирается), а транзистор ЗТ1 переходит в режим формирования пилообразного напряжения. Промежуток времени, пока транзисторы находятся в режиме насыщения, соответствует времени обратного хода. [7]
В исходном состоянии транзисторы ТЗ и Т1 открыты по цеш 1: ППБ - резистор R1 - переход эмиттер-база транзистора Т1 ( сме щение за счет резистора R3) - переход эмиттер-база транзистор; ТЗ - резистор R5 - ПМБ. [8]
 |
Простейшая схема последовательного транзисторного. [9] |
С нет переменной составляющей напряжения, то пульсация на нагрузке L / o - оказывается приложенной к переходу эмиттер-база транзистора в оротивофазе с изменением коллекторного напряжения, компенсируя пульсации напряжения на входе фильтра за счет изменения внутреннего сопротивления транзистора. [10]
Транзистор VT2 открыт, так как имеется ток базы, протекающий по цепи: источника резистор R9 диод VD2 переход эмиттер-база транзистора VT2 резистор R7 - источника. При этом имеет место ток базы транзистора VT3: источника диод VD3 переход эмиттер - база транзистора VT3 диод VD2 переход эмиттер - коллектор транзистора VT2 резистор R11 5 - источника. Через открытый транзистор VT3 протекает ток возбуждения, и напряжение генератора возрастает. [11]
Когда транзистор VT8 микросхемы D1 открывается, конденсатор С21, подключенный к выводам 2, 6 микросхемы, быстро заряжается через открытый транзистор VT9 и переход эмиттер-база транзистора VT11 до напряжения, близкого к напряжению питания микросхемы. Транзисторы VT11, VT13 находятся в это время в открытом состоянии, а транзистор VT12 закрыт. При закрывании транзистора VT8 цепь перезаряда R15, R16 ( R21, R23) становится высокоомной. [12]
Конденсатор С, заряжается по цепи 0, эмиттерный переход транзистора Г2, Сь RKi, - Ек, а конденсатор С2 - по цепи 0, переход эмиттер-база транзистора Гь С2, RK2, - ЕК - Предположим, что в первый момент после включения схемы транзисторы Ti и Т2 будут находиться в активном режиме. Особенность схемы такова, что достаточно малейшего нарушения симметрии ( например, увеличения тока коллектора одного из транзисторов, так как в реальных цепях обеспечить абсолютную симметрию схемы невозможно), чтобы в цепи наступило самовозбуждение. [13]
В положении / / переключателя В6 открыт транзистор Т18, ток базы которого протекает по цепи: 12 В ( контакт 2 соединителя Ш - П2), переход эмиттер-база транзистора Т18, резистор R60, переключатель В6, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. Через эмиттерный и коллекторный переходы открытого транзистора Т18 напряжение 12 В поступает на контакт 2 соединителя Ш - СК-В. Так как состояние транзисторов Т14 и Т16 и напряжения на контактах 1 3, 5 соединителя Ш - СК-В не изменились, СК переключается на II диапазон. [14]
Непостоянство тока заряда конденсатора в схеме с повторителем обусловлено следующими факторами: непостоянством напряжения на резисторе R и ненулевой проводимостью закрытого ключа и входной проводимостью эмиттерного повторителя. Изменение напряжения на переходе эмиттер-база транзистора Т2 можно учесть, если известно значение усредненного параметра Лцб ( входное сопротивление транзистора), которое можно определять по входной характеристике транзистора. [15]
Страницы: 1 2