Cтраница 2
Ток базы транзистора Т18 протекает по цепи: источник 12 В, эмиттерный переход транзистора Т18, резистор R60, переключатель Во, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. Ток базы транзистора Т16 протекает по цепи: 12 В, переход эмиттер-база транзистора Т16, резистор R56, переключатель В6, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. [16]
При достижении номинального напряжения генератора напряжение на стабилитроне VD1 становится равным напряжению стабилизации. Стабилитрон пробивается, при этом возникает цепь тока базы транзистора VT1: источника переход эмиттер-база транзистора VT1 стабилитрон VD1 резистор R3 дроссель Др - источника. [17]
Моновибратор питается от источника 12 В через контакт 6 разъема XI ( A3) и в период формирования выходным каскадом тока прямого хода развертки находится в ждущем режиме. При этом транзистор 6VTI2 открыт до насыщения током базы от источника 12 В по цепи: переход эмиттер-база транзистора 6VT1I, резисторы 6 ( R51, R52), корпус. Напряжение на коллекторе 6VT12 равно примерно 12 В, поэтому транзистор 6VT11 закрыт, напряжение на его коллекторе равно нулю. [18]
Блокинг-генератор на транзисторе VT7, включенном по схеме с общей базой, используется в качестве источника переключающих импульсов. Когда напряжение на конденсаторе превысит напряжение на стабилитроне VD14, транзистор VT6 отпирается и за счет положительной обратной связи между цепями эмиттера и коллектора через импульсный трансформатор ТЫ блокинг-генератора генерирует импульс. Длительность импульса определяется временем разряда СЗ через R20 и переход эмиттер-база транзистора 1 / 77, а также индуктивностью обмотки ТЫ. После окончания импульса снова начинает заряжаться СЗ через R17 и Я / 9, цикл повторяется. Длительность паузы между импульсами блокинг-генератора определяется временем заряда СЗ. [19]
В результате его осуществления оба транзистора переходят в режим глубокого насыщения, так как токи баз значительно превосходят величину, необходимую для полного открывания транзисторов. Промежуток времени, когда транзисторы находятся в режиме насыщения, соответствует времени обратного хода. Конденсатор 6С2 заряжается по цепи: источник 12 В, резистор 6R9, диод 6VDI, переход эмиттер-база транзистора 6VT1, конденсатор 6С2, переход коллектор-эмиттер транзистора 6VT2, корпус. [20]
Контактно-транзисторный регулятор напряжения ( рис. 2.10) работает следующим образом. До момента достижения напряжением генератора Ur регулируемого значения контакты вибрационного реле разомкнуты. При этом транзистор VT открыт, так как через переход эмиттер-база протекает ток базы Б от генератора через переход эмиттер-база транзистора, резистор Re на - генератора. Сопротивление резистора R6 подбирается таким образом, чтобы ток базы обеспечивал полное отпирание транзистора. По обмотке возбуждения - 0В через эмиттер Э и коллектор К транзистора в этом случае протекает полный ток возбуждения, и напряжение генератора возрастает с возрастанием частоты вращения. [21]
Многоэмиттерные транзисторы легко реализуются в интегральной технологии. Они являются основой ТТЛ-элементов. Если на всех входах ( эмиттерах транзистора VT1) действует 1 ( высокий потенциал), то все переходы эмиттер-база транзистора VT1 закрыты. [22]
![]() |
Схема ТТЛ-элемента И-НЕ на биполярных транзисторах. [23] |
Более высоким быстродействием по сравнению с ДТЛ-элементами обладают ТТЛ-элементы. На рисунке 14.16 приведена схема ТТЛ-элемента с инвертором. Операция И реализуется здесь многоэмиттер-ным транзистором VT1, а транзистор VT2 служит в качестве инвертора. Многоэмиттерные транзисторы легко реализуются в интегральной технологии. Они являются основой ТТЛ-элементов. Если на всех входах ( эмиттерах транзистора VT1) действует 1 ( высокий потенциал), то все переходы эмиттер-база транзистора VT1 закрыты. Потенциал базы транзистора VT2 близок к нулю, а переход коллектор - база транзистора VT1 открыт приложенным в прямом направлении напряжением источника Eq. Таким образом, сигнал 0 может быть на выходе только при всех входных сигналах 1, что соответствует операции И-НЕ. [24]