Реальный переход

Cтраница 1

Реальный переход к зрелым всеобщим формам торговли станет возможным при создании перевеса предложения над спросом, что потребует более продолжительного периода, поскольку предполагает полную заинтересованность изготовителей и посредников в насыщении рынка товарами и услугами, а потребителей - в экономном использовании материальных ресурсов при резком изменении народнохозяйственных пропорций и направлений затрат. [1]

Реальный переход из одного состояния в другое заменен бесконечным набором промежуточных состояний равновесия. [2]

Реальный переход с одного уровня электронной энергии на другой является адиабатическим и имеет равные вероятности протекания в любом направлении. Однако в конденсированных средах и в газах при давлениях выше нескольких тысячных миллиметра ртутного столба избыток энергии S быстро растрачивается при соударениях. Это нарушает ту, одинаковую для состояний Si и S2 конфигурацию ядер, которая была в момент перехода. Поэтому процесс полной внутренней конверсии из S2 в Si в значительной степени превалирует над обратным процессом. [3]

Реальный переход имеет конечные размеры. [4]

Реальный переход электрона от донорной молекулы к акцепторной возможен только в том случае, когда энергия колебательного возбуждения Ш акцепторной молекулы с частотой у / переходит в диссипативную систему. [5]

В реальных переходах из-за загрязнения поверхности обратное сопротивление может быть порядка 100 МОм. В результате этого вольтамперная характеристика отклоняется от идеальной, как показано на фигуре. [6]

Определение типа электропроводности полупроводника.| Осциллограммы в. а. х. [7]

В реальных переходах нужно учитывать, что контактирование осуществляется не по всей поверхности полупроводника и металла, а в отдельных точках их поверхностей. Кроме того, на поверхности полупроводника всегда имеется поверхностный заряд, поле которого накладывается на поле, создаваемое контактной разностью потенциалов. [8]

Таким образом, реальные переходы являются резонансными переходами. [9]

Кроме того, реальный переход в некоторой области выходит на поверхность полупроводника. При обратном включении диода на поверхности перехода появляется утечка носителей заряда, что вызывает увеличение и нестабильность ( ползучесть) обратного тока во времени. Ползучесть тока / обр не поддается строгому расчету и весьма неодинакова у разных диодов одного и того же типа. [10]

Экспериментальные зависимости. - f ( / э. [11]

Для оценки влияния отличия реального перехода от идеально линейного аналогичные расчеты были проделаны для экспоненциального распределения примеси. Расчеты получаются значительно более громоздкими и выходят за рамки настоящей статьи. [12]

Факторы внешней среды при реальном переходе нефтегазового производства к концепции открытой системы становятся для компаний определяющими. [13]

Сходство и различия в выра - [ IMAGE ] Корреляция между кри-жениях, описывающих переходы Мот - тической концентрацией носителей та и Андерсона и эффективным боровским радиу. [14]

Несмотря на то, что при реальных переходах меняются и концентрация и степень беспорядка, полезно иметь в виду принципиальное различие и соотношение между переходами Мотта и Андерсона. [15]

Страницы: 1 2 3 4