Реальный переход

Cтраница 4

Вообще говоря, диапазон обратных смещений, в котором переход может считаться линейным, зависит от режима сплавления-диффузии. В [15] показано, что для коллекторных переходов транзисторов П401 - П403 линейное приближение с точностью до 10 % справедливо лишь до напряжения - 14 В, поэтому при обсуждении результатов анализа линейного перехода качественно рассмотрим особенности реальных переходов. [46]

Излагавшаяся выше идеальная теория р - - перехода содержит предположение о том, что генерация и рекомбинация зарядов в переходной области перехода либо отсутствуют, либо очень слабы. Это предположение означает, что весь ток через переход имеет диффузионную природу. Для реальных переходов, например кремниевых, это предположение неточно. [47]

Это справедливо лишь для бесконечно тонкого перехода. В реальном переходе эти процессы могут оказаться существенными. [48]

При стандартном термодинамическом анализе предполагается, что обе фазы, участвующие в переходе, всегда раздельны и четко определены. Принято считать, что при всех температурах ниже точки перехода устойчива одна фаза, в точке перехода устойчивы и находятся в равновесии обе фазы, а выше точки перехода устойчива другая фаза. Но многие реальные переходы явно происходят в интервале температур. Он обсуждает рентгеноструктур-ные доказательства того, что при переходах, имеющих порядок выше первого, происходит непрерывное превращение одной фазы в другую не при одной температуре, а в интервале температур. Кривая свободной энергии в переходной области не является поэтому характерной ни для высоко -, ни для низкотемпературной фазы. [49]

Уравнение вольтамперной характеристики перехода (8.76) получено без учета процессов генерации и рекомбинации носителей тока в области пространственного заряда. Такое допущение может быть оправдано только для очень тонких переходов. Для большинства же реальных переходов оно не выполняется и вид вольтамперной характеристики может существенно зависеть от этих процессов. [50]

M: II нов свидетельствовала бы о политической решимости государств пойти на сокращение военного производства, привести в действие механизм полной ликвидации негативных социалыш-ако-номических последствий гонки вооружений, встать на путь практического обеспечения связи между разоружением и развитием. Социалистические страны рассматривают конверсию как важнейшую составную часть процесса разоружения, обеспечивающую высвобождение материальных, финансовых и людских ресурсов для целей развития. Принципиально важно то, что реальный переход от военного к гражданскому производству придает свертыванию гонки вооружений необратимый характер и ставит оказание дополнительной помощи развивающимся странам на стабильную основу. [51]

Реальный переход имеет конечные размеры. Это значит, что, рассматривая реальный переход, мы должны оценивать влияние процессов на поверхности на его свойства. Эти явления для диодов проявляются прежде всего в утечках при обратном включении и в нестабильности обратного тока во времени. Так как эти же явления будут характерны и для транзисторных переходов, мы рассмотрим их позже, в главе, посвященной надежности и стабильности. [52]

Диаграмма каскадной модели многофононного рассеяния на LO фоно-нах, когда резонансным промежуточным состоянием является ls - экситон. Е П2К2 / ( 2М, где М me mh. К - волновой вектор центра масс экситона. [53]

Такие каскадные процессы обычно заканчиваются, когда у экситона не остается достаточно энергии для релаксации путем испускания LO фононов. Следовательно, в многофононных рама-новских процессах обычно проявляются выходные резонансы с экситонами. Приведенные соображения ( рис. 7.37) учитывают только индуцированные фононами реальные переходы, для которых реальные части знаменателей в выражении для вероятности рассеяния обращаются в нуль ( см., напр. Для п 3 значительный вклад вносят виртуальные переходы, для которых эти знаменатели не равны нулю. [54]

Страницы: 1 2 3 4