Точечный переход

Cтраница 1

Точечные переходы получают путем формовки. Через диод пропускается один или несколько сравнительно мощных, но коротких импульсов прямого тока; при этом возникает сильный разогрев приконтактной области и кончик иглы сплавляется с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности примыкающего к игле тонкого слоя исходного полупроводника. Образуется полусферический р-и-переход ( рис. 3 - 5, а), а контакт приобретает стабильность и механическую прочность. Изменение типа электропроводности происходит за счет термоакцепторов, всегда присутствующих в неактивном состоянии на поверхности кристалла, а также частичной диффузии примесей из иглы в полупроводник. [1]

Конструкция точечного р-п перехода.| Конструкция планарно-эпитаксиального диода. [2]

Точечным переходом называется электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и окружающих его областях. [3]

Конструкция точечного р - л-перехода. [4]

Точечным переходом называют электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и окружающих его областях. [5]

Диоды с точечным переходом работают в широком диапазоне частот. В основном эти диоды применяются в маломощных выпрямительных схемах, в детекторах амплитудно-модулированных и частотно-модулированных колебаний, в ограничителях, преобразователях частоты и импульсных схемах. [6]

Одной из разновидностей точечных переходов является сварной контакт, обладающий высокой механической прочностью. Конец проволочки затачивается до нескольких микрон, и затем она приваривается к полупроводниковому кристаллику при пропускании импульсов тока 0 25 а длительностью 5 - 10 сек. При изготовлении кремниевых диодов обычно используется алюминиевая проволочка. Точечные диоды со сварными контактами имеют полусферический переход с радиусом 10 - 50 мк. [7]

В диодах с точечным переходом в качестве выпрямительного элемента используется контакт германиевой или кремниевой монокристаллической пластинки с заостренным электродом из вольфрама или фосфористой бронзы. [8]

В детекторе - коаксиальной конструкции точечный переход является нагрузкой отрезка коаксиальной линии с сопротивлением 70 Ом. На рис. 3.12, б показан разрез коаксиального детектора. Полупроводниковый кристалл припаивают к металлическому кристаллодержателю, который запрессовывают в корпус. Плавным перемещением кристалло-держателя осуществляют контакт полупроводника с пружиной, закрепленной в корпусе с помощью опорной шайбы из диэлектрического материала. [9]

Микроплоскостные переходы имеют почти такую же, как и точечные переходы, малую площадь, но в отличие от точечных диодов граница раздела р - и - областей в них плоская. В поверхностно-т Зарьерных Диодах р-п переход создается за счет образования у поверхности полупроводника слоя инверсии. [10]

Важным преимуществом обращенных диодов по сравнению с диодами с точечными переходами является их низкий уровень шума. Это обстоятельство делает их применение полезным в малошумящих смесителях, у которых промежуточные частоты находятся в звуковом диапазоне и в детекторах видеосигнала. [11]

Форма электрода при электролитическом заострении при правильно выбранном времени травления ( а и слишком большом времени травления ( 6. [12]

Такая форма будет давать излишке большую площадь контакта и не пригодна для образования точечного перехода. [13]

Форма электрода при правильно выбранном времени травления ( а и слишком большом времени травления ( б. [14]

Электрод с такой формой будет давать излишне большую площадь контакта и не пригоден для образования точечного перехода. [15]

Страницы: 1 2