Точечный переход
Cтраница 2
По конструктивным особенностям различают точечные транзисторы, у которых один или несколько переходов точечные ( имеющие размеры, малые по сравнению с толщиной области объемного заряда), и плоскостные транзисторы, у которых размеры переходов велики. Точечные переходы выполняются в виде контакта металлического острия с полупроводником и ввиду низкой стабильности в настоящее время в транзисторах не применяются. [16]
В плоскостных р-п переходах линейные размеры, определяющие площадь, значительно больше его толщины. В точечных переходах все линейные размеры, определяющие площадь, меньше толщины области объемного заряда. [17]
У плоскостных р-п переходов уменьшить это произведение путем уменьшения площади поперечного сечения перехода, очевидно, невозможно, так как с уменьшением этой площади / увеличивается, а С во столько же раз уменьшается произведение гС остается неизменным. Поэтому применяют точечные переходы, изготовляемые путем сварки заостренной проволоки, покрытой, например, индием, с пластиной - германия. [18]
Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом. [19]
Рассчитать форму е - вблизи особенностей Ван-Хова, полученных в задаче 15.16, в предположении, что переходы первого порядка являются запрещенными. Схематически изобразить форму энергетического спектра ег для кристалла из задачи 15.16, считая все критические точечные переходы запрещенными переходами первого порядка. [20]
Рассчитать форму RI вблизи особенностей Ван-Хова, полученных в задаче 15.16, в предположении, что переходы первого порядка являются запрещенными. Схематически изобразить форму энергетического спектра е, для кристалла из задачи 15.16, считая все критические точечные переходы запрещенными переходами первого порядка. [21]
 |
Устройство различных ния при повышении темпера-типов полупроводниковых дао - туры т 0 с обратный ток дов. а-плоскостного. о - Jf g v. [22] |
Полупроводниковый диод представляет собой кристалл полупроводника с одним р-л-переходом, и все параметры диода определяются свойствами использованного в нем перехода. В плоскостном переходе независимо от способа его получения площадь запорного слоя больше, чем в точечном переходе, и поэтому собственная емкость плоскостных диодов всегда превышает собственную емкость точечных диодов. Так, если емкость мощных плоскостных диодов достигает величины нескольких сотен пикофарад, то емкость точечных диодов составляет единицы пикофарад и даже доли пикофа-рады. В то же время при большей площади перехода через диод могут проходить большей величины токи. Исходя из этого, плоскостные диоды применяются в основном для выпрямления переменных токов низких частот. Точечные дис-ды могут работать в широком диапазоне частот и наиболее часто используются для детектирования высокочастотных сигналов. [23]
Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом. [24]
Полировка обычно продолжается 4 - 5 сек. Дозировка осуществляется при помощи реле времени. В первые годы производства полупроводниковых триодов точечные переходы широко использовались и для транзисторов, однако за последнее время интерес к ним упал. Это объясняется более сложными и мало изученными физическими процессами, происходящими в точечных триодах, в связи с чем в производстве и эксплуатации их встречается ряд трудностей. [25]
При приближении к критическому состоянию начинается бурный рост флюктуации и наблюдаются предкритические явления. Эти явления состоят в том, что перед фазовым переходом наблюдается рост флюктуации, затем небольшой скачок, соответствующий обычному фазовому переходу I рода, и затем стабилизация фазы - уменьшение флюктуации. Скрипова и Ю. Д. Колпакова, исследовавших флюктуации оптическим методом по рассеянию света в СО2, это явление выражено вполне ясно. При приближении к критической точке разрыв стремится к нулю и в самой критической точке флюктуации достигают максимума - наступает критический, чисто флюктуационный переход, связанный с исчезновением поверхностного натяжения между фазами. Однако критический переход сохраняет и некоторые черты докритического перехода, фазового перехода I рода - он происходит при строго определенных значениях термодинамических сил XtJ является точечным переходом. Непрерывные закрити-ческие переходы являются чисто флюктуационными. [26]
Страницы: 1 2