Омический переход

Cтраница 3

Все неосновные носители заряда, инжектированные в базу при прямом напряжении, доходят до омического перехода, где и рекомбинируют. При обратном напряжении через р-я-пере-ход диода с тонкой базой происходит экстракция всех носителей заряда, поставляемых в базу невыпрямляющим контактом. [31]

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее увеличение обратного тока в диоде с тонкой базой. [32]

Все неосновные носители заряда, инжектированные в базу при прямом напряжении, доходят до омического перехода, где и рекомбинируют. При обратном напряжении через р-л-пере-ход диода с тонкой базой происходит экстракция всех носите / Гей заряда, поставляемых в базу невыпрямляющим контактом. [33]

Структура однопереходного транзистора представляет собой кристалл высокоомного полупроводника с одним р-п переходом и двумя омическими переходами. Область с токоотводящим контактом, прилегающую к р-п переходу, называют эмиттером, а омические переходы - базами. Характерной особенностью ВАХ однопереходных транзисторов является наличие на ней участка отрицательного сопротивления, что создает благоприятные условия для их применения в импульсных генераторах, в частности в схемах формирования управляющих импульсов для включения тиристоров. [34]

В зависимости от того, какие требования предъявляются к линейности вольт-амперной характеристики ( ВАХ) омического перехода и каков вид нелинейности, ее можно характеризовать и оценивать по-разному. Идеальный омический переход должен иметь коэффициент выпрямления, равный единице. [35]

Распределение неосновных носителей заряда в различных областях транзистора при его работе в режиме насыщения. а - в структуре обычного планерного транзистора, б - - в структуре аналогичного транзистора с диодом Шотки, включенным параллельно коллекторному переходу. [36]

Таким образом, на контактах алюминиевых электродов с эмиттерной областью и с сильнолегированной частью коллекторной области получаются омические переходы, а их формирование и формирование выпрямляющего перехода Шотки осуществляются во время одного процесса металлизации. [37]

Несмотря на это, теория омических переходов разработана слабее, чем теория электронно-дырочных переходов, а формирование омических переходов часто основано на эксперименте. [38]

Переходы металл - полупроводник используются для создания полупроводниковых диодов ( диодов Шоттки), а также для создания омических переходов ( контактов), являющихся неотъемлемой частью любого полупроводникового прибора. [39]

Прямая ветвь ВАХ диода. [40]

Наконец, при очень больших прямых токах ВАХ диода становится неэкспоненциальной из-за нарушения условий на р-и-переходе и на омическом переходе. [41]

Чтобы можно было установить, насколько омический переход удовлетворяет предъявленным к нему требованиям, и чтобы можно было сравнивать разные омические переходы между собой, надо ввести количественные параметры, характеризующие эти переходы. [42]

Прямая ветвь ВАХ диода. [43]

Наконец, при очень больших прямых токах ВАХ диода становится неэкспоненциальной из-за нарушения условий на p - n - переходе и на омическом переходе. [44]

Это выражение для плотности тока насыщения можно также получить, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда от омических переходов к р-и-переходу по прилегающим к переходу областям. [45]

Страницы: 1 2 3 4