Омический переход

Cтраница 4

Определение падения напряжения на переходе путем экстраполяции распределения потенциала в полупроводнике. [46]

Очевидно, что чем больше скорость рекомбинации, тем меньше при данном потоке носителей заряда отклонение концентрации носителей от равновесной, тем выше качество омического перехода. При большой плотности потока носителей заряда граничная концентрация существенно превышает равновесную концентрацию тех же носителей ( ргр ро), так как скорость движения носителей ограничена. [47]

Очевидно, что чем больше скорость рекомбинации, тем меньше при данном потоке носителей заряда отклонение концентрации носителей от равновесной, тем выше качество омического перехода. При большой плотности потока носителей заряда граничная концентрация существенно превышает равновесную концентрацию тех же носителей ( ргр / 7о), так как скорость движения носителей ограничена. [48]

Структура симметричного тиристора, переключаемого из закрытого состояния в открытое током управляющего. [49]

В последнем случае не только основные электроды должны обеспечить шунтирование прилегающих к ним крайних p - n - переходов, но и управляющий электрод должен иметь омический переход как с р-областью, так и с дополнительной n - областью. [50]

ВАХ селеновой выпрямительной пластины. [51]

Необратимое возрастание прямого напряжения на селеновых выпрямителях, называемое старением, при хранении незначительно, но ускоряется при эксплуатации Процесс старения связан с увеличением сопротивления слоя селена вследствие обеднения его галогенными примесями, а также с увеличением сопротивления омического перехода между селеном и алюминиевым электродом. [52]

Страницы: 1 2 3 4