Сильный переход
Cтраница 2
 |
Кривые АДОВ ( сплошные линии. [16] |
Расчет вращательных сил зависит от того, является ли рассматриваемый переход 0 - / сильным оптическим переходом с большим p0j, но малым mjo или слабым переходом с малым p0j, но большим mjo. Для сильных переходов можно выделить экситонный вклад, обусловленньш взаимодействием возбужденных уровней в разных мономерах. Неэкситонные вклады, определяемые взаимодействием уровня / с другими уровнями, на которые разрешены переходы, условию консервативности не удовлетворяют. На рис. 5.17 показаны типичные кривые АДОВ и КД экситонного и неэкситонного взаимодействий для консервативного-и неконсервативного вкладов. [17]
В табл. 4 представлены данные о разрешенных переходах в XeF4, включая их относительную энергию и поляризацию. Можно ожидать, что переход eg - еи расположен между двумя сильными переходами. [18]
Эффекты второго порядка в кристаллах ( раздел 1 5А) также проявляются и в системе, состоящей из двух молекул. Предположим, что у свободной молекулы самый низкий переход слабый и что несколько выше имеется второй, более сильный переход. [20]
Вследствие больцмановского распределения населенно-стей уровней мод инверсная населенность одновременно образуется и на большом числе переходов, соответствующих полосам секвенции и горячим полосам. Усиление на этих переходах значительно меньше, и для получения генерации на них в резонатор лазера вносят частотно-селективные потери, посредством к-рых подавляется гене-раиия на более сильных переходах. [21]
Другим указанием на интенсивность перехода является максимальная величина коэффициента экстинкции полосы. Типичные значения для сильных переходов имеют порядок 104 - Ш5 см - - дм3 - моль -; это указывает на то, что в I моль / дм3 растворе интенсивность света ( подходящей частоты) падает до I / IO ее первоначальной величины при прохождении через раствор толщиной около 0 1 мм. [22]
В табл. 4 представлены данные о разрешенных переходах в XeF4, включая их относительную энергию и поляризацию. Переходы я - 0, разрешенные по соображениям симметрии ( a2g - eu и b2g - н - еи), должны перекрываться с двумя переходами a - - а. Можно ожидать, что переход eg - еи расположен между двумя сильными переходами. [23]
Анализ следов при таких низких концентрациях возможен не только для натрия. Таким методом можно определять большинство атомов и многие молекулярные частицы при концентрациях, сравнимых с концентрациями натрия, или в худшем случае с потерей двух-четырех порядков величины в чувствительности определения. Самое большое ограничение, которое существует в настоящее время, - это доступность перестраиваемых непрерывных лазеров, работающих при длинах волн, соответствующих сильным переходам для широкого набора атомов и молекул. [24]
В других системах наблюдались слабые линии с красной стороны от предполагаемых начал чисто электронных полос при низких температурах, при которых о колебательном возбуждении в основном состоянии не может быть и речи; природа этих полос не установлена. Определив из спектров флуоресценции, что начало системы в эмиссионном спектре расположено при 24 929 см 1, Сидман пришел к заключению, что эта частота соответствует отдельному электронному переходу. Он предположил, что этот переход может соответствовать уровню захваченного экситона типа, впервые предложенного теоретически Френкелем. Расчеты [27] подтверждают, что экситонная полоса этого перехода в антрацене лежит приблизительно на 200 см 1 ниже самого низкого уровня с k 0, на который в основном происходят сильные переходы. Кроме того, вследствие несовершенств или дефектов решетки могут быть индуцированы переходы на уровни, соответствующие началу полосы. Однако Лейси и Лайонс [57] недавно высказали предположение, что в привлечении таких специальных механизмов нет необходимости, так как начало электронной полосы, поляризованной вдоль оси Ь, лежит ниже, чем предполагалось ранее, и, возможно, достаточно низко для того, чтобы можно было объяснить полосы, наблюдаемые Сидма-ном. [25]
Страницы: 1 2