Cтраница 1
Обратные переходы электронов могут сопровождаться излучением света. [1]
Энергетическая диаграмма туннельного диода при обратном смещении.| Энергетическая диаграмма туннельного диода при прямом смещении. [2] |
Обратный переход электронов происходит в неблагоприятных условиях. [3]
Энергетическая диаграмма атома лития в невозбужденном состоянии.| Энергетическая диаграмма атома лития в возбужденном состоянии. [4] |
Обратный переход электронов происходит спонтанно, при этом атом испускает квант света или же в процессе соударения отдает энергию другим атомам в виде теплоты. Если атому сообщить извне достаточно большую энергию, то отдельные электроны могут вообще отделиться от атома. [5]
Фотоэлемент слоем. [6] |
Обратному переходу электронов препятствует запирающий слой. Это приводит к тому, что покрывной электрод заряжается отрицательно, а слой селена положительно. При замыкании такой системы во внешней цепи появляется ток. Характерным свойством фотоэлементов с запирающим слоем является возникновение тока под действием света без участия постороннего источника напряжения. Аналогично устроены кремниевый и многие другие фотоэлементы с запирающим слоем. [7]
Обратному переходу электронов запорный слой препятствует. Это приводит к тому, что медь заряжается отрицательно, а оксид - положительно. При замыкании такой системы во внешней цепи появляется ток. Характерным свойством фотоэлементов с запорным слоем является возникновение тока под действием света без участия постороннего источника напряжения. Достоинствами фотоэлементов с запирающим слоем являются высокая чувствительность, безынерционность, широкий спектральный интервал и простота конструкции. [8]
При обратном переходе электронов их избыточная энергия может вновь выделяться в виде излучения или путем передачи ее окружающим частицам, усиливая их тепловые колебания, а также может перераспределяться между самими электронами. Установление в системе нового состояния и возвращение в исходное после снятия возбуждающего электромагнитного излучения называют релаксацией, скорость релаксации характеризуется временем спин-решеточной релаксации TI для случая передачи энергии окружающим частицам в виде тепловых колебаний ( фононы) и спин-спиновой релаксации та при передаче возбуждения от электрона к электрону. [9]
Это излучение сопровождает обратные переходы электронов с первого возбужденного уровня в основное состояние. [10]
Итак, за счет обратного перехода электрона с любой дальней на любую ближнюю орбиту рождается квант светового излучения. В силу порционного характера излучения энергии электрон не может излучить ( или поглотить) часть светового кванта. Поэтому невозможны орбиты, промежуточные между стационарными: чтобы электрон попал на них, требуется поглощение ( выделение) нецелых порций энергии, а это невозможно. Так как возбужденный электрон может возвращаться с любой дальней на любую более близкую стационарную орбиту, а энергия его на разных орбитах разная, то и частоты излучений ( v), порождаемых этими разнообразными возвратами его, различны. [11]
Итак, за счет обратного перехода электрона с любой дальней на любую ближнюю орбиту рождается квант светового излучения. В силу порционного характера излучения энергии электрон не может излучить ( или поглотить) часть светового кванта. Поэтому невозможны орбиты, промежуточные между стационарными: чтобы электрон попал на них, требуется поглощение ( выделение) нецелых порций энергии, а это невозможно. Так как возбужденный электрон может возвращаться с любой дальней на любую более близкую стационарную орбиту, а энергия его на разных орбитах разная, то и частоты излучений ( v), порождаемые этими разнообразными возвратами его, различны. [12]
Отрыв электронов всегда сопровождается обратным переходом электронов из свободного состояния в связанное. При установившейся температуре эти два процесса компенсируют друг друга и концентрация освобожденных электронов остается постоянной. [13]
Распределение Ферми - Дирака / ф при. [14] |
Наряду с этим процессом генерации пар электрон-дырка идет процесс их рекомбинации, состоящий в самопроизвольном обратном переходе электронов из зоны проводимости на свободные уровни в валентной зоне. [15]