Обратный переход - электрон
Cтраница 2
По существу, происходит термоионная эмиссия электронов, которая облегчается наложением поля, в граничный слой и обратный переход электронов с адсорбированных ионов в металл. Эта работа очень интересна в плане влияния электронных эффектов в катализе. [17]
Если считать, что переход электронов лигандов на орбитали центрального иона сопровождается образованием координационной сг-связи, то обратный переход электронов с заполненных d - орбиталей центрального иона на разрыхляющие орбитали лигандов приводит к образованию, координационной п-связи. [18]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [19] |
С увеличением прямого напряжения результирующий прямой ток возрастает, так как возрастает вероятность туннельного перехода электронов из п - в р-область, а вероятность обратного перехода электронов падает. [20]
 |
Значения энергии ВЗМО и НСМО ряда алкилфенолов. [21] |
При этом предполагается осуществление связи ароматического соединения с катализатором за счет частичного перехода л-элек-трона соединения с верхней заполненной молекулярной орби-тали ( ВЗМО) на вакантную орбиталь металла катализатора и обратного перехода электрона металла на нижнюю свободную молекулярную орбиталь ( НСМО) реагирующей молекулы. Первый вид взаимодействия обычно называют донорно-акцептор-ным, а второй - дативным. [22]
В той же строке стрелками указана возможность осуществления кратковременного переноса заряда электрона от физически адсорбированной молекулы к электрофильному центру под действием фотона h vu a соответствующей величины, как это наблюдается в межмолекулярных комплексах или ассоциатах переноса заряда с обратным переходом электрона по истечении времени порядка 10 - 9 сек. [23]
При поглощении фотона в кристалле полупроводника образуется пара квазичастиц - электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Обратный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону осуществляется за счет электронно-дырочной рекомбинации свободных носителей одного типа со связанными носителями противоположного типа. Взаимодействие электронов и дырок с диссипативной подсистемой фононов колебаний решетки кристалла изменяет состояния электронов и дырок, так что они не могут сразу же после образования аннигилировать с испусканием поглощенного фотона. [24]
Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, в результате которого образуется пара электрон - дырка, называется генерацией. Обратный переход электрона приводит к исчезновению носителей заряда и называется рекомбинацией. Если считать, что электроны и дырки являются отдельными самостоятельными частицами, то процессы генерации и рекомбинации можно рассматривать как разобранный нами в § 2 и 5 процесс диссоциации - рекомбинации. [25]
 |
Схема энергетических. [26] |
При такой ситуации возможно поглощение света примесным центром, в результате которого электрон с основного уровня U0 перейдет на возбужденный t / E. Самопроизвольный обратный переход электрона с возбужденного уровня центра на основной будет сопровождаться излучением. Если учесть заселенность колебательных уровней электронами в основном и возбужденном состояниях, то совокупность соответствующих фотонов образует полосы поглощения и излучения, которые на рис. 1.42 изображены на оси ординат - шкале энергии. [27]
Ионизация атома состоит в полном удалении электрона из сферы действия ядра - математически говоря, в удалении электрона в бесконечность. Обратному переходу электрона из бесконечности на какой-либо определенный уровень энергии в атоме соответствует граница той серии спектральных линий, для которой этот уровень является нижним уровнем. Значение произведения / zv, соответствующее границе серии спектральных линий, у которой нижним уровнем является основной энергетический уровень валентного электрона в нормальном невозбужденном атоме, равно энергии, которую нужно затратить, чтобы ионизовать атом. Если атом ионизуется вследствие удара о него электрона, то эта энергия берется за счет кинетической энергии движения электрона. Поэтому ионизация атома при столкновении с электроном может произойти лишь в том случае, если кинетическая энергия электрона достаточно для этого велика. [28]
При освещении полупроводника электроны могут переходить из состояния с меньшей энергией в состояние с большей энергией. При обратном переходе электрона из верхнего состояния в нижнее освободившаяся энергия при определенных условиях также может быть выделена в виде кванта света. Это явление называется люминесценцией. [29]
 |
Механизм возникновения оптического спектра натрия. [30] |
Страницы: 1 2 3 4