Прямой обратный переход

Cтраница 2

Связь между Pi ( t) и Pi ( t - - At) должна учитывать возможности прямых и обратных переходов между г - ым и всеми остальными состояниями системы. [16]

В состоянии равновесия устанавливается такая концентрация электронов ( и равная ей концентрация дырок), при которой число прямых и обратных переходов в единицу времени одинаково. [17]

Следует отметить, что при изучении нефтяных дисперсных систем недостаточно рассмотрены вопросы взаимодействия фаз, процессы агрегирования и дезагрегирования, приводящие к прямым и обратным переходам от простых к сложным составам дисперсной фазы, оказывающим в конечном итоге решающее влияние на агрегативную и кинетическую устойчивость нефтяной дисперсной системы. Особенностью нового подхода к рассмотрению происходящих при этом явлений было определение принципиального различия между процессами депрессии температуры застывания и ингибирования парафиноотложения в нефтяных системах с точки зрения устойчивости системы к расслоению, под которой понимается, как уже указывалось, способность системы сохранять в объеме равномерное распределение во времени частиц дисперсной фазы. При рассмотрении процессов депрессии температуры застывания и ингибирования парафиноотложения в нефтяных дисперсных системах предполагалось, что депрессирование температуры застывания заключается в регулировании агрегативнои устойчивости системы, а ингибирование парафиноотложения - в изменении склонности системы к расслоению. [18]

Хотя формулы (9.19) и (9.20) строго доказаны для термодинамического равновесия, предполагается, что они справедливы и при отсутствии равновесия, когда скорости прямых и обратных переходов не равны. [19]

В методике проектирования разработки нефтяных месторождений основные наиболее сложные расчеты, учитывающие влияние неоднородности пластов по проницаемости и всех факторов, усугубляющих неравномерность вытеснения нефти водой, а также учитывающие динамику разбуривания и осуществления различных технических мероприятий, делают для расчетной жидкости; в методике существует прямой и обратный переход от весовой жидкости к расчетной и от расчетной к весовой. [20]

Возникновение разности потенциалов металл - электролит на ионно-металлическом электроде основано на переходе катионов из металла в электролит или в обратном направлении. Скорости прямого и обратного перехода в общем случае неодинаковы. Они зависят от величины разности потенциалов металл - электролит, а значит, и от замеряемого электродного потенциала. [21]

Между вероятностями прямого и обратного перехода существует весьма важное соотношение. Рассмотрим его сначала, исходя из формулы [32. 42], которая получается в первом приближении теории возмущений. Пусть в системе имеются два состояния А и В с волновыми функциями tyA и ярд. Этим состояниям отвечает одно и то же значение энергии в пределах неточности А. [22]

Существенное значение имеет частота линий зеркальной симметрии VQ. Значения частот этих прямых и обратных переходов одинаковы и равны частоте VQ. Следовательно, VQ представляет собой частоту чисто электронного перехода, определяющую расстояние между самыми нижними колебательными уровнями невозбужденного и возбужденного состояний молекулы. Таким образом, при строгом выполнении правила зеркальной симметрии спектров поглощения и люминесценции частота чисто электронного перехода определяется автоматически, по частоте линии симметрии ( точки пересечения) обоих спектров. Однако существенно, в каких координатах следует строить исследуемые спектры поглощения и люминесценции. [23]

Схема опытной установки для исследования кривой кипения. [24]

В рассматриваемой работе исследуется кривая кипения, охватывающая все режимы кипения. Проведение опытов с прямым и обратным переходом одного режима в другой позволяет установить явление, носящее название гистерезиса кипения. Опытная трубка, выполненная из стали 1X13 диаметром 1 52 мм и длиной 145 мм, расположена в сосуде горизонтально. Обогрев ее осуществляется непосредственным пропусканием электрического тока. Одним из токоподводов служит медная шина, припаянная к торцу опытной трубки. При этом приняты меры, обеспечивающие герметичность и электрическую изоляцию токоподвода на выходе из сосуда. [25]

Влияние сернокислого цинка на кинетику гидрирования диметилэтинилкарбинола на Pt-чер-ни при 20 С. [26]

Специфическая адсорбция катионов кадмия на поверхности палладия увеличивает теплоту фазового 5 - - а-перехо-да до 25ккал / молъ. Найденное различие в теплотах прямого и обратного перехода термодинамически невозможно, если эти процессы протекают на одних и тех же центрах, однородных по химическому составу. [27]

Согласно этому принципу равны вероятности прямого и обратного перехода между двумя состояниями, имеющими одинаковый статистический вес. Но из этого принципа отнюдь не следует, что вероятность перехода из равновесного состояния в неравновесное такая же, как из неравновесного состояния в равновесное. Статистически равновесное состояние включает очень много равновероятных микросостояний, а неравновесное состояние - сравнительно мало микросостояний: система потому и проводит подавляющую часть в равновесии, что неравновесных состояний несравненно меньше, чем равновесных. Неравновесное состояние преимущественно переходит в равновесное потому, что переход в менее равновесное состояние может осуществиться несравненно меньшим числом равновероятных способов. Поэтому и оказывается, что система как бы стремится к равновесию, несмотря на одинаковую вероятность прямого и обратного перехода между любыми двумя равновероятными микросостояниями. [28]

Соотношения такого типа, усредненные по максвелловскому распределению электронов, носят название принципа детального равновесия. Согласно принципу детального равновесия числа прямых и обратных переходов в системе, находящейся в термодинамическом равновесии, равны. Мы будем называть принципом детального равновесия и соотношения между сечениями типа ( 2), ибо соотношения этого вида однозначно следуют из принципа детального равновесия. [29]

Наиболее интересные физические исследования обычно связаны с преобразованием энергии из одной формы в другую. Полупроводники представляют благодатную почву для таких исследований - прямых и обратных переходов тепловой и лучистой энергии в электрическую. [30]

Страницы: 1 2 3 4