Электрический переход
Cтраница 2
Структура электрического перехода кремниевого и германиевого диодов изображена на рис. 3.1, г. Область я - типа в кремниевом диоде формируется общей диффузией фосфора в кремний. [16]
Гетеропереходом называют электрический переход при контакте различных полупроводников, отличающихся по ширине энергетических зон. При образовании таких контактов происходит перераспределение носителей заряда, что приводит к появлению контактной разности потенциалов и к выравниванию уровней Ферми. [17]
 |
Энергетическая диаграмма гетеропереходов р-п ( а и п-п ( б при отсутствии внешнего напряжения. [18] |
Гетеропереходом называют электрический переход при контакте двух полупроводников, имеющих различную ширину запрещенной зоны. [19]
 |
Конструкция точечного р - л-перехода. [20] |
Плоскостным переходом называют электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. Симметричным р-л-переход сделать труднее, поэтому чаще всего диоды изготовляют с несимметричными переходами. [21]
 |
Конструкция точечного р - л-перехода. [22] |
Точечным переходом называют электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и окружающих его областях. [23]
В сернистосеребряных фотоэлементах электрический переход образуется между полупрозрачной пленкой золота и пленкой сернистого серебра, нанесенной на металлическую подложку. Эти фотоэлементы чувствительны к излучениям в длинноволновой части видимого спектра и в инфракрасной области. [24]
У диффузионных диодов электрический переход изготавливается методом общей или локальной диффузии донор-ных и акцепторных примесей в кристалл полупроводника. Диффузию можно проводить однократно и многократно. Например, структура электрического перехода кремниевого диода ( рис. 3.1, г) р - р - / г-л - типа изготавливается методом общей многократной диффузии. Область р-типа формируется диффузией акцепторной примеси-алюминия в кремниевую пластину л-типа, а область л - типа - диффузией в эту же пластину фосфора - донорной примеси. Для образования р - области проводится вторая диффузия бора в р-область. Омические контакты с р - и п - областью структуры изготавливают химическим осаждением никеля и последующим гальваническим золочением. [25]
В сернистосеребряных фотоэлементах электрический переход образуется между полупрозрачной пленкой золота и пленкой сернистого серебра, нанесенной на металлическую подложку. Эти фотоэлементы чувствительны к излучениям в длинноволновой части видимого спектра и в инфракрасной области. [26]
 |
Конструкция точечного р-п перехода.| Конструкция планарно-эпитаксиального диода. [27] |
Точечным переходом называется электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и окружающих его областях. [28]
Плоскостные диоды имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше ширины p - n - перехода. Переход выполняют в основном методами вплавления или диффузии. Пластинку кристалла полупроводника 3 припаивают к кристаллодер-жателю 2 так, чтобы образовался контакт. Стеклянный изолятор покрыт светонепроницаемым лаком. Корпус служит для защиты диода от внешних воздействий. [29]
Плоскостные диоды имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше ширины p - n - перехода. Переход выполняют в основном методами вплавления или диффузии. Пластинку кристалла полупроводника 5 припаивают к кристаллодержателю 2 так, чтобы образовался контакт. Стеклянный изолятор покрыт светонепроницаемым лаком. Корпус служит для защиты диода от внешних воздействий. [30]
Страницы: 1 2 3 4