Электрический переход
Cтраница 3
Здесь Я2 обусловлено электрическими переходами в ультрафиолетовой области, вносящими основной вклад в нерезонансную нелинейную поляризацию в видимой и ближней инфракрасной областях. Вклады другой природы, например вызванные эффектом Керра, играют в твердотельных образцах в видимой и ближней инфракрасной областях незначительную роль. [31]
Все рассмотренные ранее виды электрических переходов ( электронно-дырочный переход, контакт полупроводников с одинаковыми типами электропроводности, контакт металл - полупроводник) можно считать частными случаями более общего вида контактов - гетеропереходов. [32]
Все рассмотренные ранее виды электрических переходов ( р-п-переход, п-п - переход, р-р - переход, переход Шотки) можно считать частными случаями общего вида электрических переходов - гетероперехода. [33]
Все рассмотренные ранее виды электрических переходов ( р-и-переход, п-я - переход, р-р - переход, переход Шотки) можно считать частными случаями общего вида электрических переходов - гетероперехода. [34]
Полупроводниковый диод содержит обычно один электрический переход и имеет два вывода. Наиболее часто диоды создают на основе р-п переходов. В зависимости от формы р-п перехода различают плоскостные и точечные полупроводниковые диоды. [36]
Основными являются классификации по типу электрического перехода и назначению диода. [37]
Все эти переходы объединяются общим понятием электрический переход и используются в различных полупроводниковых приборах. [38]
Широкое распространение получают ионно-лучевые методы изготовления электрического перехода диода. При ионной имплантации легирование пластины полупроводника осуществляется бомбардировкой примесными ионами, ускоренными до высоких энергий. Концентрация примесей в имплантированном слое зависит от плотности тока в ионном луче и времени экспозиции. Высокая контролируемость процесса и низкая температура позволяют проводить ионную имплантацию на любой стадии процесса изготовления диода. Глубина проникновения ионов в полупроводник зависит от их энергии. Изменяя энергию ионов, можно обеспечить сложный закон распределения примесей по глубине. [39]
Транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с электрическими переходами, имеющий 3 выхода. Он состоит из двух последовательных, включенных навстречу, п-р-переходов. [40]
Однако существуют два принципиальных различия между дипольными магнитными и электрическими переходами. [41]
Линии поглощения слабы из-за того, что дипольные электрические переходы между мультиплетными уровнями запрещены правилом Лапорта. [42]
В режиме насыщения или в инверсном режиме электрический переход п-п на границе скрытого слоя отражает дырки, инжектируемые из базы в коллектор. Поэтому при прямом смещении коллекторного перехода в структуре со скрытым слоем дырочная составляющая тока этого перехода ниже, чем в структуре без скрытого слоя, следовательно, увеличивается инверсный коэффициент передачи. [43]
Структура реального диода содержит один или несколько электрических переходов. По конструктивно-технологическим особенностям электрических переходов различают точечные, микросплавные, сплавные, диффузионные, эпи-таксиальные, с барьером Шотки, поликристаллические и другие типы диодов. [44]
 |
Конструкция точечного р - л-перехода. [45] |
Страницы: 1 2 3 4