Выпрямляющий электрический переход
Cтраница 1
Выпрямляющий электрический переход этих диодов формируют путем напыления металла на поверхность высокоомного эпитаксиального слоя арсенида галлия с использованием фотолитографии. [1]
В выпрямляющем электрическом переходе и прилегающих к нему областях происходят разнообразные физические процессы, которые могут приводить к эффекту выпрямления, к нелинейному росту тока с увеличением напряжения, к лавинному размножению носителей заряда при ударной ионизации атомов полупроводника, к туннелированию носителей сквозь потенциальный барьер выпрямляющего электрического перехода как при обратном, так в определенных условиях и при прямом напряжении, к изменению барьерной емкости с изменением напряжения, к эффекту накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в прилегающих к выпрямляющему переходу областях. Все эти эффекты используют для создания различных видов полупроводниковых диодов: выпрямительных, смесительных, детекторных и переключательных, диодов с резким восстановлением обратного сопротивления, стабилитронов, стабисторов, шумовых, ла-винно-пролетных, туннельных и обращенных диодов, варикапов. [3]
В качестве выпрямляющего электрического перехода, с помощью которого производят управление потоком основных носителей заряда в полевом транзисторе, может быть р-п-переход, гетеропереход или выпрямляющий переход Шотки. Полевые транзисторы с управляющим гетеропереходом делают в основном методом эпитаксии соединений тина A BV на кристаллы арсе-нида галлия. Выпрямляющие переходы Шотки осуществляют нанесением металла на кристаллы кремния, арсенида галлия или на различные гетероструктуры. Однако наиболее распространены пока полевые транзисторы с управляющим р-п-пере-ходом в кристаллах кремния. Поэтому в дальнейшем в качестве примера рассмотрим полевые транзисторы с управляющим p - n - переходом, так как принцип действия полевых транзисторов с различными управляющими переходами идентичен. [4]
 |
Структура полупроводниковых диодов. [5] |
В качестве выпрямляющего электрического перехода в полупроводниковых диодах может быть электронно-дырочный переход, гетеропереход или контакт металл - полупроводник. [6]
Лавинный пробой выпрямляющего электрического перехода - это пробой, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. Лавинное размножение носителей заряда происходит в результате того, что они, проходя через выпрямляющий переход при обратном напряжении, приобретают в сильном электрическом поле на длине свободного пробега дополнительную энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар носителей заряда посредством ударной ионизации атомов полупроводника. Процесс ударной ионизации характеризуют коэффициентами ударной ионизации а и ар ( см. § 1.10), которые в сильной степени зависят от напряженности электрического поля. Поэтому коэффициенты ударной ионизации для электронов и дырок обычно считают равными. [7]
В качестве выпрямляющего электрического перехода, с помощью которого производят управление потоком основных носителей заряда в полевом транзисторе, может быть р-п-переход, гетеропереход или выпрямляющий переход Шотки. Полевые транзисторы с управляющим гетеропереходом делают в основном методом эпитаксии соединений типа A BV на кристаллы арсе-нида галлия. Выпрямляющие переходы Шотки осуществляют нанесением металла на кристаллы кремния, арсенида галлия или на различные гетероструктуры. Однако наиболее распространены пока полевые транзисторы с управляющим р-п-пере-ходом в кристаллах кремния. Поэтому в дальнейшем в качестве примера рассмотрим полевые транзисторы с управляющим р - / г-переходом, так как принцип действия полевых транзисторов с различными управляющими переходами идентичен. [8]
Лавинный пробой выпрямляющего электрического перехода - это пробой, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. Лавинное размножение носителей заряда происходит в результате того, что они, проходя через выпрямляющий переход при обратном напряжении, приобретают в сильном электрическом поле на длине свободного пробега дополнительную энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар носителей заряда посредством ударной ионизации атомов полупроводника. Процесс ударной ионизации характеризуют коэффициентами ударной ионизации а и ар ( см. § 1.10), которые в сильной степени зависят от напряженности электрического поля. Поэтому коэффициенты ударной ионизации для электронов и дырок обычно считают равными. [9]
При лавинном пробое выпрямляющего электрического перехода носители заряда, проходя через р-п переход, в сильном электрическом поле на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар посредством ударной ионизации атомов полупроводника. В результате резко возрастает обратный ток. [10]
 |
Относительная К. и абсолютная V видности стандартного фотометрического наблюдателя в зависимости от длины волны излучения. [11] |
Полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом обладают относительно малым сопротивлением при включении этого перехода в прямом направлении. [12]
 |
Относительная К и абсолютная V видности стандартного фотометрического наблюдателя в зависимости от длины волны излучения. [13] |
Полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом обладают относительно малым сопротивлением, при включении этого перехода в прямом направлении. [14]
 |
Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь ВАХ диода. [15] |
Страницы: 1 2 3 4