Выпрямляющий электрический переход

Cтраница 2

В реальном полупроводниковом диоде выпрямляющий электрический переход обязательно выходит на поверхность полупроводника. В связи с этим состояние поверхности влияет на ВАХ диода. Это влияние значительно сильнее сказывается на обратной ветви ВАХ, так как обратные токи очень малы. [16]

Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. [17]

В реальном полупроводниковом диоде выпрямляющий электрический переход обязательно выходит па поверхность полупроводника. В связи с этим состояние поверхности влияет на вольт-амперную характеристику диода. Это влияж е значительно сильнее сказывается на обратной ветви вольт-амперной характеристики, так как обратные токи обычно малы. [18]

Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь ВАХ диода. О - без учета поверхностных состояний, / - с учетом генерации носителей заряда на поверхности, 2 - при наличии канала поверхностной электропроводности 3 - при обогащенном слое на по верхности базы. [19]

Какие физические явления и свойства выпрямляющих электрических переходов используются в различных полупроводниковых диодах: выпрямительных, смесительных, умножительных, модуляторных диодах и стабисторах, полупроводниковых стабилитронах и лавинно-пролетных диодах, туннельных в обращенных диодах, варикапах. [21]

Структуры полупроводниковых диодов. а - с выпрямляющим электрическим переходом в виде р-п-пере-хода. б - е выпрямляющим электрическим переходом на контакте между металлом и полупроводником. В - выпрямляющие электрические переходы. Н - - невыпрямляющие, т. е. омические, переходы. [22]

В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего электрического перехода и характеристической длины различают плоскостные и точечные диоды. [23]

Схематическое изображение структуры биполярных транзисторов с выпрямляющими электрическими переходами в виде p - n - переходов приведено на рис. 4.1. Взаимодействие между p - n - переходами будет существовать, если толщина области между переходами ( толщина базы) будет много меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p - n - переходов при его смещении в прямом направлении, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток. Таким образом взаимодействие выпрямляющих электрических переходов биполярного транзистора проявляется в том, что ток одного из переходов может управлять током другого перехода. [24]

Схематическое изображение структуры биполярных транзисторов с выпрямляющими электрическими переходами в виде р-п-переходов приведено на рис. 4.1. Взаимодействие между p - rt - переходами будет существовать, если толщина области между переходами ( толщина базы) будет много меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p - n - переходов при его смещении в прямом направлении, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток. Таким образом взаимодействие выпрямляющих электрических переходов биполярного транзистора проявляется в том, что ток одного из переходов может управлять током другого перехода. [25]

Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя внешними выводами. [26]

Энергетическая диаграмма гетероперехода. при обратном напряжении и при освещении его кван - тами света с различной энергией ( hv hv. [27]

Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую. [28]

Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство выпрямляющего электрического перехода. [29]

Однопереходный транзистор - это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и тремя выводами, переключающие и усилительные свойства которого обусловлены модуляцией сопротивления базы в результате инжекции в нее неосновных носителей заряда. [30]

Страницы: 1 2 3 4