Крайний переход

Cтраница 1

Структура симметричного тиристора ( а и его вольт-амперная характеристика ( б. [1]

Крайние переходы зашунтированы объемными сопротивлениями прилегающих к этим p - n - переходам областей с р-типом электропроводности. [2]

Крайние переходы зашунтированы объемными сопротивлениями прилегающих к этим p - n - переходам областей с электропроводностью р-типа. [3]

Структура симметричного тиристора ( а и его ВАХ ( б. [4]

Крайние переходы зашунтированы объемными сопротивлениями прилегающих областей с электропроводностью р-типа. [5]

Структура симметричного тиристора ( а и его ВАХ ( б. [6]

Крайние переходы защунтированы объемными сопротивлениями прилегающих областей с электропроводностью р-типа. [7]

Конструкция фототиристора. [8]

Здесь площадь крайних переходов мала по сравнению с пло - 11пЯ щадью внутренних областей. [9]

В случае приложения обратного напряжения крайние переходы смещаются в обратном, а центральный - в прямом направлении. Для большинства тиристоров переход / 3, образованный сильно легированными областями, обладает слабой запирающей способностью и уже при низких обратных направлениях в нем происходит лавинный пробой. [10]

При отрицательном напряжении на аноде крайние переходы Л и / з смещаются в обратном направлении. Вследствие протекания тока / упр Р происходит инжекция электронов в р-базу четырехслойной структуры. Избыточные носители диффундируют к переходу / 2, и концентрация носителей у этого перехода становится выше равновесной, что приводит к понижению потенциального барьера. В результате дырки из р-базы инжектируются в - базу и, достигая перехода Л, увеличивают его обратный ток. [11]

Время задержки и минимальная длительность импульса управления в зависимости от управляющего тока. [12]

Все напряжение практически падает на центральном переходе, так как крайние переходы открыты. [13]

Движение электронов ( -. -. -. - и - дырок ( - - - - - - - - - - - в тиристоре, находящемся в закрытом состоянии при прямом включении ( ф - рекомбинация, О - генерация. [14]

Через прибор будет протекать небольшой ток, обусловленный инжекцией носителей заряда крайними переходами и термогенерацией носителей заряда в базах и в обратно смещенном центральном переходе. [15]

Страницы: 1 2 3