Крайний переход

Cтраница 2

А / см2) заметно усиливается зависимость падения напряжения на базах от / а вследствие уменьшения подвижности носителей и коэффициентов инжекции крайних переходов. [16]

При подаче на тиристор напряжения обратной полярности ( минусом - на анод и плюсом - на катод) средний переход 2 смещается в прямом направлении, а крайние переходы / и 3 - в обратном. Характер нарастания обратного тока за точкой перегиба зависит от вида пробоя и определяется технологическими факторами. [17]

Характерные зависимости времени выключения от скорости нарастания обратного тока ( кривые 1, 2, 3, 4 для различных тиристоров одного типа. [18]

При уменьшении скорости спада прямого тока до di06f / dt - 3 - r - 10 а / мксек tB увеличивается, так как увеличивается время рассасывания неосновных носителей а крайних переходах. При еще большем уменьшении ( di05p / dt3 а / мксек) величина tB может вновь уменьшится, так как в этом случае большую роль будет играть рекомбинация носителей в базах за время спада анодного тока. Чтобы исключить при измерениях времени выключения влияние di06p / dt, необходимо установить а / мксек. [19]

Тиристором называется полупроводниковый прибор на основе четырехслойной структуры р-п-р-п, имеющий три р-п перехода. Напряжения подводятся так, что крайние переходы работают в прямом направлении, а средний - в обратном направлении. Прибор обладает свойством диода. [20]

Для характеристики максимально допустимого режима работы тиристора указываются следующие параметры: t / o6pmax - максимальное значение постоянного обратного напряжения, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе. Напряжение Un6pma ограничивается пробивным напряжением одного из крайних переходов тиристора ( с меньшим пробивным напряжением); / тах - максимальная величина прямого тока, обеспечивающая заданную надеж-ност. [21]

Обратная ветвь ( участок а - О на рис. 6.2) вольт-амперной характеристики тиристора соответствует подключению внешнего напряжения орицательным полюсов к аноду и положительным - к катоду. Это вызывает смещение среднего перехода в лрямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение / 70вр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в pi - и / 12-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в р - и rti - слоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих Напряжений. [22]

Это вызывает смещение среднего перехода в прямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение [ 70бр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в р2 - и 2-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в /) - и пгслоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих напряжений. Поэтому максимально допустимое обратное постоянное напряжение ( точка а на рис. 6.2) Uo6pMaKC соответствует напряжению пробоя для первого перехода. [23]

В тиристорах с двумя тонкими базами составляющие базовых зарядов, сосредоточенных у центрального и крайних переходов, сильно связаны друг с другом. Поэтому для определения зависимости г обр / ( 0 достаточно ограничиться рассмотрением полных базовых зарядов. [24]

Принцип действия фототиристора аналогичен описанному выше. Если к аноду приложено положительное ( по отношению к катоду) напряжение, то в темновом режиме крайние переходы окажутся смещенными в прямом, а средний переход - в обратном направлении, и фототиристор будет находиться в закрытом состоянии. При освещении перехода в тонкой базе происходит генерация пар электрон-дырка. Электроны с поверхности диффундируют в глубь дырочного слоя и свободно проходят через средний переход к аноду. При определенной интенсивности светового излучения, соответствующей световой мощности ( 1 - 10) 10 - 2 Вт / см, концентрация электронов возрастает, вызывая лавинообразное умножение носителей заряда с последующим включением фототиристора. Максимум спектральной чувствительности лежит в диапазоне 0 9 - 1 1 мкм. [25]

На рис. 3.1 представлена структурная схема простейшего тиристора. Такая структура содержит три электронно-дырочных перехода. Крайние переходы / х и / 3 называют эмиттерными, а центральный / 2 - коллекторным. Средние области структуры, называемые базовыми, имеют различную толщину и степень легирования. [26]

Усиление сигналов управления с помощью тиристора. [27]

Тириотор может запираться за счет уменьшения тока ниже удерживающей величины, - но в этом случае время затирания будет более 100 мксек. Управляемость восстанавливается значительно быстрее, если к тиристору будет приложено обратное напряжение от внешней цепи с малым сопротивлением, в результате чего через прибор будет течь обратный ток. В этом случае на восстановление двух крайних переходов затрачивается около 2 мксек. Поскольку центральный переход при этом не имеет обратного смещения, то его восстановление осуществляется в результате естественной рекомбинации накоплонных зарядов. В § 1 - 4 дано более детальное описание физического процесса запирания и восстановления способности запирать мрямое напряжение после интервала проводимости. [28]

Если происходит выключение тиристора, например, путем разрыва цепи анода, то ток анода падает до нуля. Однако заряды в базах сохраняются в течение некоторого времени, постепенно уменьшаясь вследствие рекомбинации. QpHac и Qnnao убывают как за счет рекомбинации, так и за счет их принудительного рассасывания через крайние переходы. [29]

Здесь включены все члены второго порядка наряду с важными членами третьего порядка, возникающими из-за перекрестных произведений, рассмотренных выше. Общее представление о спектре можно получить, опустив сначала члены, обращающиеся в нуль при высоких частотах; тогда для иона с 5 3 / 2, / 3 / 2 и D, достаточно большим для того, чтобы разрешить три электронных перехода, спектр будет приблизительно таким, как на фиг. Для центрального перехода линии с Am 1 появляются парами с интервалом 2 / рЯ, симметрично расположенными относительно средней точки участка между основными линиями; они имеют наибольшую интенсивность в центре спектра. Для крайних переходов половина линий с Am 1 смещена на величину Л в сторону высоких частот, а другая половина линий смещена настолько же, но в противоположную сторону; следовательно, одна линия с каждого края группы сверхтонких линий оказывается снаружи от линий основной сверхтонкой структуры. [30]

Страницы: 1 2 3