Центральный переход

Cтраница 1

Центральный переход 1 / z) ч - - у2) в разбавленном фторо-силикате ванадия, поле Н образует угол 78 с кристаллической осью. [1]

Унифицированные центральные переходы ( рис. 40, к) имеют ту особенность, что их длина нормализована и при различных сочетаниях диаметров составляет 300, 400, 600 или 800 мм. [2]

Унифицированные центральные переходы ( рис. 29, л) имеют ту особенность, что их длина стандартизирована и при различных сочетаниях диаметров составляет 270, 400, 600 или 800 мм. [3]

Структура тиристора и схема включения. [4]

Обратный ток центрального перехода / ко, определяемый генерацией в р-п переходе, увеличивается при увеличении напряжения. Это связано с ростом ширины слоя объемного заряда [2,], а также с различного рода утечками, главным образом по поверхности. Кроме того, обратный ток зависит от процесса лавинного умножения в переходе. [5]

Длина унифицированных центральных переходов ( рис. 38, н) при различных сочетаниях диаметров равна 300, 400, 600 и 800 мм. [6]

Сопротивление омической утечки центрального перехода считается линейным; это оправдано тем, что не учитывается эффект модуляции ширины базовых областей и эффект лавинново умножения. [7]

Последовательная цепочка переключающих диодов с запуском на один прибор. [8]

Увеличение тока утечки центрального перехода приводит в р-п-р-п структуре, как было показано, к снижению напряжения переключения. Весьма ценной особенностью переключающих диодов по сравнению с обычными кремниевыми транзисторами при их эксплуатации является высокая устойчивость к перегрузкам по току. [9]

Ток, протекающий через центральный переход в прямом направлении при закрытом состоянии прибора, как это показано на фиг. [10]

При увеличении напряжения ток центрального перехода возрастает, и ток, проходящий через структуру, будет увеличиваться. [11]

Зависимость напряжения включения от тока базы. [12]

При этом напряжение на центральном переходе и собственный ток коллекторного перехода равны нулю. [13]

Второй этап начинается после включения центрального перехода и характерен модуляцией проводимости широкой базы n - типа. Тиристор на втором этапе ведет себя как индуктивное сопротивление. [14]

Вольтамнерная хар-ка четырехслойного прибора. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5