Cтраница 2
Увеличение а означает, что центрального перехода достигает большое числе эмиттировапных неосновных носителей. При токе выключения 1выклар - п-р ап - Р - п1 a напряжение на центральном переходе становится равным нулю. В этой области ap n f - - v - n - p - n 1 составляющие транзисторы находятся в режиме насыщения, напряжение на центральном переходе изменяет знак и становится положительным. Положит, обратная связь между транзисторами обеспечивает непрерывное пополнение рекомбинирующсто избыточного заряда неосновных носителей во внутр. [16]
Вольтамперная хар-ка чстырсхслойного прибора. [17] |
Увеличение а означает, что центрального перехода достигает большее число эмиттированных неосновных носителей. При токе выключения 1вьимаР - п-р ап-р - п 1 а напряжение на центральном переходе становится равным нулю. В этой области ар п р - - О - - р - 1, составляющие транзисторы находятся в режиме насыщения, напряжение на центральном переходе изменяет знак и становится положительным. Положит, обратная связь между транзисторами обеспечивает непрерывное пополнение рекомбинирующего избыточного заряда неосновных носителей во внутр. [18]
Второй этап начинается после включения центрального перехода и характерен модуляцией проводимости широкой базы n - типа. Тиристор на втором этапе ведет себя как индуктивное сопротивление. [19]
Время задержки и минимальная длительность импульса управления в зависимости от управляющего тока. [20] |
Все напряжение практически падает на центральном переходе, так как крайние переходы открыты. [21]
Эквивалентный ток управления i y a, поступающий в базы тиристора при включении du / dt. [22] |
Таким образом, действие емкостного тока центрального перехода эквивалентно поступлению одинаковых токов управления в обе базы р-п-р-п структуры тиристора. [23]
Закрытое состояние тиристора соответствует обратному смещению центрального перехода, открытое - прямому. [24]
При напряжениях, заметно меньших напряжения пробоя центрального перехода / з, коэффициенты умножения близки к единице. [26]
Характеристика о i ( 1340. [27] |
Так как ai a2 почти всегда больше единицы, центральный переход при достаточно больших токах имеет положительное смещение. Поэтому положительное сопротивление при большом напряжении довольно мало. По мере того, как M ( ai a2) приближается к единице, ток неограниченно возрастает. Детали вольт-амперной характеристики пока еще не вполне ясны. Выше дано только качественное объяснение общего вида вольтамперной характеристики. [28]
Переходный процесс выключения. [29] |
В момент времени tl концентрации неравновесных носителей на границах центрального перехода равны нулю ( рис. 4.13, е) и переход / 2 выходит из режима насыщения. [30]