Непрямой переход

Cтраница 1

Непрямой переход происходит через промежуточные ( виртуальные) состояния. При этом возможны две физически неразличимые альтернативы. [1]

Непрямые переходы ( рис. 1.22, б) связаны с изменением импульса в результате взаимодействия электрона с решеткой. [2]

Если непрямые переходы оказываются запрещенными, то показатель степени в числителях (8.68) возрастает на единицу за счет силы осциллятора и тогда: п [ to - ( A. [3]

Очень часто непрямые переходы бывают безызлучательными, когда вся энергия, выделяющаяся при рекомбинации, передается кристаллической решетке. [4]

При непрямых переходах, связанных с рассеянием на примесях, зависимость (33.20) также сохраняется, что наглядно видно из кривой рис. 97, где показана зависимость прямого тока / макс от приведенной концентрации носителей п для серии германиевых диодов, в которых донором являлся As, а акцептором Ga. Что касается вероятности непрямого перехода с рассеянием на примесях, то, как показывают оценки, она может приближаться к вероятности прямых переходов. Действительно, значения тока / т, рассчитанные по (32.15), показанные на рис. 97 пунктиром, лежат лишь немногим выше экспериментальных точек. Однако па самом деле экспериментальные значения для прямого тока оказываются примерно на порядок больше рассчитанных по (32.15), так что непрямой ток, связанный с рассеянием на примесях, составляет около 1 / 10 прямого тока. [5]

Спектр поглощения германия и кремния.| Край собственного поглощения в соединениях A111 Bv и германия. [6]

При непрямых переходах должны встретиться три частицы - электрон, фотон и фонон. Но это означает, что непрямой переход является процессом менее вероятным, чем прямой, поэтому коэффициент поглощения света при прямых переходах должен достигать больших величин, чем для непрямых переходов. [7]

При непрямых переходах в процессе поглощения кроме фотона и электрона должна участвовать еще третья квазичастица, которая обеспечит закон сохранения импульса. Такой третьей квазичастицей обычно является квант тепловой энергии кристаллической решетки полупроводника. [8]

В случае непрямых переходов энергия выделяется, как правило, в виде фононов и воспринимается кристаллической решеткой. Температура кристалла при этом повышается относительно окружающей среды и происходит равновесное тепловое излучение. При непрямых переходах помимо фонона может выделиться также и квант лучистой энергии - фотон. [9]

Схематическая диаграмма вертикальных ( прямых и невертикальных ( непрямых межзонных переходов. [10]

Поскольку вероятность непрямых переходов ( для которых требуется взаимодействие трех тел) должна быть, вообще говоря, меньше вероятности прямых переходов ( для которых достаточно взаимодействия двух тел), то в спектральных кривых поглощения при переходе к фотонам больших энергий, способным вызывать прямые переходы, должно наблюдаться более или менее резкое возрастание поглощения. [11]

Хотя вероятности непрямых переходов, как правило, на 2 - 3 порядка меньше вероятностей прямых переходов, удельный вес этих процессов в сильной степени зависит от строения энергетических зон. [12]

В случае непрямых переходов ситуация несколько сложнее в том отношении, что теоретическое рассмотрение не позволяет получить аналитические выражения, которые можно было бы использовать на практике. [13]

В случае непрямых переходов коэффициенты поглощения обычно на два-три порядка величины меньше, так что излучательные времена жизни во столько же раз больше. Таким образом, можно ожидать, что конкурирующие процессы безызлучательной рекомбинации окажутся доминирующими, так что, как это следует из формулы (7.1), эффективность излучения будет мала Однако, как будет показано в разд. [14]

Физические свойства алмаза и кремния. [15]

Страницы: 1 2 3 4