Непрямой переход
Cтраница 2
В для непрямого перехода и 7 5 эВ для прямого), электрохимические электроды и сенсоры, способные работать в агрессивной среде ( используется высокая химическая стойкость алмаза) и еще целый ряд уникальных приборов. [16]
В случае непрямых переходов энергия выделяется, как правило, в виде фононов и воспринимается кристаллической решеткой. Температура кристалла при этом повышается относительно окружающей среды и происходит равновесное тепловое излучение. При непрямых переходах помимо фонона может выделиться также и квант лучистой энергии - фотон. [17]
Таким образом, непрямые переходы связаны с изменением энергии кристаллической решетки. Вполне понятно, что на энергетический обмен с кристаллической решеткой должны налагаться дополнительные условия, которые не всегда могут быть выполнены. [18]
Дубровский [13, 14] рассмотрел непрямые переходы в кремнии, введя по аналогии с анализом прямых переходов некую действующую эффективную массу mgli, которая будет учитывать и обыкновенное увеличение плотности состояний из-за несферичности зон, и дополнительное увеличение плотности состояний из-за энергетической зависимости вероятности перехода. [19]
Таким образом, непрямые переходы связаны с изменением энергии кристаллической решетки. Вполне понятно, что на энергетический обмен с кристаллической решеткой должны налагаться дополнительные условия, которые не всегда могут быть выполнены. [20]
Спектр магнетопоглощения для непрямых переходов ступенчатый, а в спектре осцилляции эффекта Фарадея имеются чередующиеся максимумы, что дает преимущество в точности измерений. [21]
Спектр магнетопоглощения для непрямых переходов ступенчатый, а в спектре осцилляции эффекта Фарадея имеются чередующиеся максимумы, что дает преимущество в точности измерений. [22]
Коэффициент поглощения для непрямых переходов с поглощением фонона получается, таким образом, пропорциональным ( hv - & Е - - Ер) г. Он должен также быть пропорциональным количеству Np имеющихся фононов с энергией Ер, где ( см. гл. [23]
Частоты, соответствую-щие непрямым переходам. [24]
Теперь обратимся к непрямому переходу, в котором участвует кроме фотона и электрона один фонон. [25]
Край поглощения обусловлен непрямыми переходами. В области 0 8 эв в германии наблюдается резкое возрастание коэффициента поглощения, оно объясняется началом прямых переходов, которые, как было сказано выше, являются более вероятными по сравнению с непрямыми переходами. В кремнии прямые переходы наблюдаются при / tu 2 5 эв. [26]
 |
Прямые ( а к непрямые ( б переходы при собственном поглощении свега.| Спектр поглощения германия и кремния. [27] |
Край поглощения обусловлен непрямыми переходами. В области 0 8 эВ в германии наблюдается резкое возрастание коэффициента поглощения, оно объясняется началом прямых переходов, которые, как было сказано выше, являются более вероятными по сравнению с непрямыми переходами. [28]
В полупроводнике с непрямыми переходами минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны находятся при разных значениях k, и при вычислении коэффициента поглощения необходимо использовать теорию возмущений второго порядка, чтобы учесть взаимодействие как с фотонами, так. [29]
В достаточно чистых кристаллах непрямые переходы обычно существенно менее вероятны, чем прямые. Разность wv - w зависит от закона дисперсии в зонах и ориентации поверхности эмиттера относительно кристаллических осей. [30]
Страницы: 1 2 3 4