Экситонный переход

Cтраница 1

Внутренние оптические потери, выраженные через произведенное тепло на единицу длины и на единицу мощности излучения накачки, показаны как функция частоты лазерного излучения для трех характерных оптических материалов. Сплошные V-образные кривые представляют собой суммарный вклад многофононного оптического поглощения и поглощение на краю Урбаха ( кроме кривой для КС1, где оно слишком мало. Пунктиром показан нагрев, происходящий из-за ра-мановского рассеяния. Все кривые приведены для температуры 300 К. Источники., , , ,. [1]

Экситонные переходы, эффекты внутреннего электронного или многофононного поглощения на примесях, поглощение на свободных носителях - эти механизмы рассматриваются нами как малозначительные или весьма ограниченные в интересующем нас диапазоне частот, чтобы вносить заметный вклад в выделение тепла. [2]

Спектры поглощения кристалла ПТС, рассчитанные по соответствующим спектрам отражения. Шкала на оси ординат соответствует кривой для 9 К. Остальные кривые в целях наглядности смещены относительно друг друга. [3]

В пользу существования экситонных переходов, начинающихся при 15600см 1 и простирающихся за 20800см 1, говорит простая теория Филпотта [126], который считает, что происхождение энергетических уровней в ПТС может быть описано с помощью двух модельных соединений, показанных на рис. 6.4.6, - винилацетилена и циклододекатриентриина. [4]

Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [5]

Это важно для изучения экситонных переходов в глубине основной полосы, где они обусловлены связанными электронно-дырочными парами, принадлежащими высоким подзонам. Около полос наблюдаются узкие области аномальной дисперсии показателя преломления; при этом экситонпый характер возбуждения делает возможным вблизи полос резкое усиление спе-цифич. Процесс излучат, аннигиляции экситонов приводит к появлению в области края основной полосы линий люминесценции, к-рые совпадают с линиями поглощения либо имеют небольшой длинноволновой сдвиг. [6]

Теоретические кривые поглощения для экситонных переходов а-прямые разрешенные переходы, б - прямые запрещенные переходы. [7]

Спектры излучения для переходов зона проводимости - акцептор в кремнии с испусканием фононов. а-акцептор бор. б-галлий. в-индий. [8]

Как и в случае межзонных и экситонных переходов, оптические переходы с участием примесных состояний могут сопровождаться испусканием и поглощением фононов. [9]

Это соотношение определяет поляризацию и силы осцилляторов экситонных переходов F при учете смешивания молекулярных конфигураций. [10]

Обратите внимание на наличие нескольких резких пиков, которые были идентифицированы экситонные переходы, связанные с квантовыми уровнями в яме ( см. гл. У некоторых из этих пиков, таких как п 1 и 2, проявляется дублетная структура, связанная с расщеплением валентных зон тяжелых и легких дырок в квантовых ямах ( более подробно см. гл. Вся основная структура в данном спектре может быть идентифицирована как оптические переходы на возбужденные экситонные состояния в этой яме. Между спектрами возбуждения фотолюминесценции и спектром поглощения на рис. 7.16 а имеется в общем хорошее согласие, хотя они и измерялись на КЯ с разной шириной. [11]

Триплетный экси-тонный перенос в смешанных кристаллах нафталин - Л8 / наф-талин - 8. Обозначения. / v - интенсивность фосфоресценции сперхловушки 0-метял-нафталина. 1А - интенсивность фосфоресценции C10Hg. ITOT 4 IA С - концентрация СШН8. Заметим, что резкое возрастание вероятности миграции между ловушками происходит при Сс 0 1. Эта концентрация является порогом перколяции. [12]

При достижении критической концентрации С10Н8, равной в молярных долях Сс 0 09, происходит резкий экситонный переход диэлектрик - металл. При Сс 0 10 все излучение исходит из сверхловушек; миграция от ловушки к ловушке становится столь эффективной, что вероятность того, что за время жизни триплетный экситон встретит сверхловушку, равна единице. В работе Копельмана и др. [238] сообщалось о наблюдении аналогичной зависимости флуоресценции сверхловушек от концентрации Ci0H8, но критическое значение молярной доли легирующего вещества составляло - 0 5 0 1, В этом случае зондировалась миграция по сетке примесей С10Н8 синглетных экситонов; большое значение Сс было обусловлено более коротким временем жизни син-глетного экситона ( см, разд. [13]

Как и в случае разрешенных переходов, это поглощение не-прерывнолереходит в поглощение квазиконтинуума, связанного с дискретными экситонными переходами, а при больших энергиях фотона поглощение стремится к зависимости ( hv - Ев) 1, вычисленной в пренебрежении экситонными эффектами. Форма края поглощения показана на фиг. В этом материале имеется два запрещенных края поглощения, разделенных энергией спин-орбитального взаимодействия, что приводит к появлению в спектре двух серий линий, которые можно легко разделить при низких температурах. В обеих сериях запрещенная линия / 1 очень слаба. [14]

Далее, в рассмотренной выше теории не учитывается куло-новское взаимодействие между электроном и дыркой, приводящее к появлению экситонных переходов и заметно меняющее форму края, особенно при низких температурах. При комнатной температуре этот эффект проявляется в том, что излом на кривой поглощения становится более резким, а коэффициенты поглощения в общем больше тех, которые можно ожидать на основании рассмотренной выше простой теории. Однако экситонные эффекты наблюдаются только в относительно чистом материале: можно ожидать, что рассмотренная простая теория применима, либо когда кулоновское притяжение экранировано благодаря присутствию большой концентрации свободных носителей, либо когда времена свободного пробега носителей значительно уменьшены за счет присутствия дефектов или примесей, как это имеет место в сильно компенсированном материале. [15]

Страницы: 1 2