Экситонный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если ты подберешь голодную собаку и сделаешь ее жизнь сытой, она никогда не укусит тебя. В этом принципиальная разница между собакой и человеком. (Марк Твен) Законы Мерфи (еще...)

Экситонный переход

Cтраница 2


Развита теория и непрямых экситонных переходов.  [16]

17 Тонкая структура края фундаментального поглощения в чистых эпитаксиальных слоях арсенида галлия при Г4 2 К - Толщина образцов. [17]

Если минимум экситонной зоны ( рис. 22) расположен не в точке К 0, то прямые экситонные переходы запрещены правилом отбора. Экситон не может передать фотону своего импульса, если его величина значительна. В этом случае происходят непрямые оптические переходы, сопровождающиеся поглощением или испусканием одного или нескольких фононов.  [18]

Все они относятся к полупроводниковым кристаллам. В молекулярных кристаллах [438] поляритонные эффекты в люминесценции должны быть выражены сильнее из-за относительно больших сил осцилляторов экситонных переходов.  [19]

Если дно экситонной зоны расположено в области волновых векторов k k0: QJc, то при низких температурах будет заселена лишь область зоны с k & k0, так что бесфононная экситон-ная люминесценция будет затруднена. Эксперимент, однако, свидетельствует о том, что это заключение во многих случаях не подтверждается ( ширина оказывается много больше k T [198]) и тем заметней, чем больше сила осциллятора экситонного перехода. Для того чтобы объяснить возможность такого рода эффекта, достаточно вспомнить, что запаздывающее взаимодействие приводит в области малых k к существенной перенормировке спектра экситона и к образованию поляритонов. Поэтому эти поляритоны сильно взаимодействуют с колебаниями решетки и ее дефектами, ибо именно электроны, а не поперечное электромагнитное поле непосредственно взаимодействуют с решеткой и именно для них наиболее вероятны процессы безызлучательного рассеяния энергии электронного ( экситонного) возбуждения в теплоту. Наоборот, у поляритонов с малыми k ( k QJc) экситонная часть энергии мала, а энергия поля поперечных фотонов преобладает. Эти поляритоны слабо рассеиваются на колебаниях решетки, способны добраться до поверхности кристалла и дать свет люминесценции.  [20]

Так как силы осцилляторов поверхностных экситонов на несколько порядков меньше сил осцилляторов объемных френкелевских экситонов, а спектры поверхностной и объемной областей перекрываются, поверхностные переходы обычно не наблюдаются. Их удается обнаружить, лишь используя тонкие кристаллы, что увеличивает отношение числа поверхностных и объемных состояний, а также низкие температуры и спектроскопические измерения на отражении, при которых в основном зондируется приповерхностная область кристаллов. Минимумы, обозначенные цифрами I, II и III, были приписаны поверхностным и подповерхностным ( вторая и третья молекулярные плоскости от поверхности) экситонным переходам. Пунктирной кривой показан коэффициент отражения объемного кристалла в отсутствие поверхностных переходов. Сравнение экспериментально полученных спектров отражения кристаллов, специально покрытых СН4, и кристаллов с чистой поверхностью позволяет отождествить некоторые линии в спектрах с поверхностными состояниями. Так, поскольку антирезонансная структура, обозначенная на рис. 1.4.40 цифрой I, в покрытом кристалле отсутствует, ее можно приписать поверхностным экситонам, связанным с первым молекулярным слоем.  [21]

В случае CdS [2.62] индуцированное электрическим полем изменение в комбинационном рассеянии света ГО-фононами наблюдалось только в условиях сильного резонанса, когда энергия падающих фотонов равнялась энергии экситонного перехода. Это свидетельствовало о том, что основной механизм при индуцированном электрическим полем рассеянии света в, CdS связан с эффектом Франца - Кел-дыща. Более подробное обсуждение этого механизма будет дано ниже.  [22]

23 Зависимости величины фототока / от интенсивности возбуждающего света / в кристалле ПТС. Для F II Ь ( ] результаты получены при возбуждении кристалла линией Аг-лазера с длиной волны 457 нм, а для F L b ( 2 - лампой накаливания, из спектра которой с помощью монохроматора выделен свет с длиной волны 497 нм. Напряженность электрического поля F 4 Ю3 В /. [23]

В отличие от антрацена для кристаллов ПТС имеются доказательства существования межзонных переходов. Из рассмотрения начальной рекомбинации носителей в ПТС станет более очевидно, что в этом веществе возможны также слабые автоионизационные переходы. J уже подчеркивалось, что существуют теоретические и экспериментальные подтверждения того, что в ПТС нижний оптический переход имеет экситон-ный характер с некоторой долей переноса заряда. В работе Лохнера и др. [99] приведены доказательства того, что ионизационный межзонный переход скрыт колебательной структурой этого основного по интенсивности экситонного перехода.  [24]

Более того, в области спектра 1 9 - 2 4 эВ, связанной с возбуждением экситонов [126], для Е, параллельного оси Ь, спектр ЭО хорошо коррелирует со спектром отражения, будучи смещенным относительно него в красную область примерно на 4 10 - 5 эВ в поле 7 104 В / см. В энергетическом диапазоне, начинающемся от - 2 4 эВ, в спектре ЭО появляется дублет, не имеющий двойника в спектре отражения. На рис. 6.4.10 линии дублета отмечены стрелками. В противоположность спектру ЭО для hv 2 4 эВ интенсивность линий дублета заметно зависит от температу ры. Поскольку в этой области спектра отражение, по существу, лишено каких-либо особенностей, можно сделать вывод о существовании перехода с малой силой осциллятора, в обычных условиях неразличимого из-за колебательной структуры экситонного перехода. Показано, что этот переход связан с межзонным возбуждением электрона, что подтверждает интерпретацию результатов измерения электропроводности кристаллов. Этот ас-пект будет рассмотрен в разд.  [25]

Как показывают спектры напыленного в вакууме тонкого слоя AgCl или AgBr, а также спектры рассеяния, эти галогениды интенсивно поглощают в УФ-области и мало в видимой области. Вид спектров сильно зависит от температуры ( рис. II. Его появление связывают с экситон-ным процессом. В экситоне электроны галогена не освобождаются, они связаны с образовавшимися дырками. В противоположность галогенидам щелочных металлов поглощение света галогенидами серебра в области прямого экситонного перехода приводит к фотопроводимости с более высоким квантовым выходом. Вероятно, это вызвано тем, что при передаче энергии возбуждения в обычно структурно нарушенную решетку AgX имеет место самоионизация или диссоциация. С повышением температуры спектры поглощения обнаруживают уменьшение экситонной полосы с одновременным красным смещением.  [26]



Страницы:      1    2