Фазовый переход

Cтраница 5

Схема образования пустотного рассеивающего центра А под действием лазерного луча В. С - профиль изменения интенсивности лазерного луча в пленке халькогенидного стекла. D - температурный профиль в пленке стекла. [61]

Фазовый переход, стимулированный электромагнитным излучением, лежит в основе процесса записи информации на стеклообразных полупроводниках ряда систем: Се - Те, Ge - As - Те, Се - Те - Sb - S и др. Большая часть составов этих систем содержит в своей основе эвтектический сплав Се15Те85, который может находиться как в стеклообразном, так и в кристаллическом состоянии. [62]

Фазовые переходы, возникающие при изменении параметров окружающей среды в диэлектриках и полупроводниках некоторых классов, сопровождаются существенной перестройкой их электронной, фононной, дипольной, магпонной или иных подсистем. В полимерах разнообразие ФП определяется особенностями кинетики межмолекулярных взаимодействий: возникают ориептационное плавление, кристаллизация, стеклование и пр. В жидких кристаллах ФП соответствуют появлению или изменению линейного, плоскостного или винтообразного упорядочения анизометричных молекул. [63]

Температурная зависимость спонтанной поляризованное ( а, обратной диэлектрической проницаемости ( б, а также диэлектрическая нелинейность в неполярной фазе ( в. [64]

Фазовый переход должен происходить при температуре Кюри - Вейса 0, когда а меняет знак. [65]

Страницы: 1 2 3 4 5