Туннельный переход
Cтраница 2
 |
Понижение потенциального барьера под действием электрического поля. [16] |
Вероятность туннельного перехода зависит от высоты Л Е0 и ширины а барьера. [17]
 |
Зависимость дрейфовой скорости электронов от напря-женностй электрического поля в кремнии ( а и теллуриде кадмия ( б при разных температурах, К. [18] |
Вероятность туннельного перехода зависит от высоты & Е0 и ширины а барьера. [19]
Вероятность туннельного перехода под барьером незначительна, и ее можно не учитывать. [20]
Возможность туннельных переходов объясняется волновыми свойствами электронов. [21]
Вероятность туннельного перехода под барьером б ( е) незначительна, ее учитывать не будем. [22]
Возможность туннельного перехода протона была отвергнута на том основании, что соответствующий барьер низкий. Хотя при малой высоте барьера облегчается классический перенос, при этом, несомненно, также увеличивается вероятность квантовомеханическо-го проникновения сквозь барьер; поэтому убедительность аргументов Стирна и Эйринга сомнительна. [23]
При туннельном переходе электроны не затрачивают энергии и переход совершается со скоростью, близкой к скорости света. Это позволяет использовать туннельные диоды для усиления и генерирования СВЧ сигналов, создания сверхбыстродействующих переключателей, различных импульсных устройств. [24]
При туннельном переходе протона электроны сдвигаются в противоположном направлении. Этот вклад мы учли только формальным образом, выбрав при расчетах величину р больше, чем она была бы при учете смещения протона на расстояние между двумя минимумами потенциальной функции. [25]
Если бы туннельные переходы на расстояниях, сравнимых с толщиной ионной атмосферы, были достаточно вероятны, то образование таких мостиков не могло бы оказать влияния на кинетику процесса. Однако не исключается возможность туннельных переходов на более близких расстояниях. [26]
Они описывают квантовые туннельные переходы между различными вакуумами теории. [27]
 |
Вольт-амперная характеристика ( ВАХ р - п-перехода. [28] |
Для реализации туннельного перехода необходимо наличие в валентной зоне дырок. Поэтому туннельный переход является туннельной рекомбинацией электрона из зоны проводимости с дыркой из валентной зоны. [29]
Возможность таких туннельных переходов впервые рассмотрена амер. Зинером, именем к-рого они были названы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5