Туннельный переход
Cтраница 4
В некоторых случаях возможен туннельный переход носителей через область объемного заряда, что также приводит при достаточных напряжениях к росту обратных токов полупроводниковых диодов. [46]
В магнитном поле вероятность туннельного перехода из зоны в зону меняется из-за перегруппировки зон в магнитные подзоны. Вольтампер-иая характеристика туннельного диода из InSb при 77е К и различных значениях магнитного поля: а - продольное поле; б - поперечное поле [1026] приведены на рис. 11.307. Туннельный ток падает с увеличением напряженности для продольного и поперечного магнитного поля. [47]
Чтобы исключить излишний вклад туннельных переходов для распада при низких давлениях, при выводе выражения ко целесообразно исходить непосредственно из (2.7), вычислив предварительно среднее время жизни для системы квантовых гармонических осцилляторов. [48]
 |
Схема вихревого свистка.| Схема губного свистка. 1. [49] |
Однако, если вероятность туннельного перехода мала ( в классич. [50]
 |
Основные схемы логических вентилей с инжекцией тока. а - вентиль ИЛИ. б - вентиль И. ( / а - переход Джозефсона при максимальном токе / а эффекта Джозефсона постоянного тока. [51] |
В схемах на основе туннельных переходов Джозефсона проявляется эффект защелкивания, поэтому на их основе сложно реализовать логическую функцию НЕ. На рис. 6.31 приведен пример такой схемы. Рассмотрим подробнее ее работу. [52]
Этот неожиданный эффект называется туннельным переходом. Он имеет большое значение для понимания механизма ядерных реакций. В частности, для объяснения того факта, что а-частицы способны вылететь из ядра атома даже в том случае, когда они не обладают энергией, равной барьеру, разделяющему внутренние области ядра и окружающее пространство. [53]
В димерах карбоновых кислот такой туннельный переход совершается за времена порядка 10 - с, приводя к протонному обмену между двумя молекулами цикла. [54]
Поскольку переход тонкий, возникнет туннельный переход из металла в тело коллектора электронов, которые, будучи подхвачены полем коллекторного перехода, попадают через базу к эмиттеру. [55]
Дело в том, что сами туннельные переходы происходят практически безынерционно. [56]
Отсюда следует, что вероятность туннельного перехода возрастает с увеличением напряженности поля § и имеет большую величину в полупроводниках с неширокой запрещенной зоной. [57]
Эту величину и содержит вероятность туннельного перехода. [58]
Очень интересны исследования по изучению туннельных переходов, роль которых при низких температурах должна быть заметной. [59]
Спонтанное деление происходит в механизме туннельного перехода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5