Дислокационные петли
Cтраница 1
Дислокационные петли были выявлены лишь после отжига образцов при температуре 200 С. [1]
Две дислокационные петли имеют одинаковые векторы Бюр-герса. При взаимодействии две такие петли сливаются в одну ( фиг. [2]
При этом наблюдаются призматические дислокационные петли с вектором Бюргерса а / 2 Ш0, лежащие в параллельных плоскостях и на боковой поверхности пирамиды, в вершине которой находится частица. Поле напряжений вокруг частицы и вновь генерируемых петель заставляет скользить ранее образовавшиеся петли дальше от включения, а пересыщение кристалла вакансиями, обусловленное закалкой, вызывает увеличение их размера за счет переползания. [4]
Следующие одна за другой дислокационные петли, генерированные одним источником, обычно остаются в одной и той же плоскости ( 001) во время переползания, так как при этом напряжение минимально. Появление источника объясняют выделением магния на плоскостях ( 001) алюминиевой матрицы. Поскольку атомы магния больше атомов алюминия, при выделении магния возникают напряжения, которые снова снимаются при образовании дислокации требуемого типа. [5]
Дискообразные скопления вакансий превращаются в дислокационные петли прежде, чем они достигнут слишком больших размеров. После такого превращения энергия связи между петлей и мигрирующими дефектами становится больше, поэтому петли растут быстрее скоплений. С этой точки зрения понятен экспериментально наблюдаемый быстрый рост зародившихся дислокационных петель даже при высоких температурах старения. [6]
Эти исследования показали, что дислокационные петли отличаются значительной сложностью, однако положение их соответствует главным макронапряжениям. Плотность дислокаций при изгибе увеличивается по направлению от нейтральной линии к крайним волокнам образца. [7]
 |
Геликоидальная атомная поверхность в кристалле с винтовой дислокацией, расположенной вдоль линии АВ. [8] |
В последнем случае кристалл содержит дислокационные петли. Вблизи линий дислокаций расположены участки кристалла, содержащие значительные геометрические искажения решетки и находящиеся в сильно напряженном состоянии. Однако при удалении от дислокации компоненты тензора напряжений убывают. В реальных кристаллах может присутствовать большое количество разного типа дислокаций, образующих иногда сложные дислокационные структуры. В сильно деформированных кристаллах суммарная длина дислокаций, находящихся в 1 см3, может достигать нескольких сотен тысяч и даже миллионов километров. [9]
 |
Образование дислокационных петель около частиц SiO2 в процессе распада твердого раствора кислорода в кремнии ( режим отжига Г900 С, г 1ч. Ув. 17500. [10] |
В обычных условиях выдавленные частицей дислокационные петли имеют тот же или несколько меньший, чем сама частица, размер. Однако если в кристалле имеется некоторое пересыщение точечными дефектами, созданное либо в результате закалки, либо облучения, то кроме скольжения наблюдается еще и переползание петель. Такое переползание было обнаружено Смол-меном [598] в сплаве Al 7 % Mg, состаренном после закалки. [11]
Бергезан и др. [311] исследовали дислокационные петли, образующиеся в цинке при холодной деформации ( прокатке) и испытаниях на усталость. [12]
Важными элементами ограниченных дислокационных структур являются дислокационные петли. В работе [7] показано, что наличие хаотически распределенных петель в кристалле приводит к характерным закономерностям в распределении интенсивности рассеяния рентгеновских лучей, качественно разном для слабо - и сильноискаженных кристаллов. Это вызывается тем, что смещение, создаваемое дислокационными петлями на больших расстояниях при Rst § R0 ( Rst - расстояние от центра дислокационной петли до рассматриваемой точки; R0 - радиус петли), пропорционально RTt2 - Таким образом, дислокационные петли, согласно классификации М. А. Кривоглаза, принадлежат дефектам первого класса. Мерой искаженности кристалла служит показатель экспоненциала 2L в факторе ослабления интенсивности правильных отражений e - 2L, связанном со статическими искажениями. В слабоискаженных кристаллах возникновение дислокационных петель не уширяет б-образные распределения интенсивности правильных искажений ( линии на рентгенограмме), но ослабляет их интенсивности и вызывает появление диффузного рассеяния. [13]
Можно оценить скорость, с которой остаточные дислокационные петли переползают вокруг частиц и аннигилируют. Переползание петель вокруг частиц происходит под действием усилий, которые развивают скапливающиеся у частиц дислокации. [14]
Сильно взаимодействуют друг с другом также сидячие дислокационные петли и скользящие дислокации. Такое взаимодействие, вероятно, в значительной мере ответственно за упрочнение, обусловленное базисным скольжением. Возможные виды взаимодействия между петлями и скользящими дислокациями схематически представлены на фиг. В случае а приближающаяся дислокация отталкивается петлей, тогда как в случаях бив происходит реакция, в результате которой дислокация закрепляется. В последнем примере по дислокационной петле проходит частичная дислокация с вектором Бюргерса оВ, которая меняет упаковку внутри петли. [15]
Страницы: 1 2 3 4