Пик - отражение
Cтраница 1
Пик отражения имеет резонансный характер, что связано с интерференцией большого числа волн, отраженных различными границами раздела многослойной структуры. [1]
Ширина пиков отражения увеличивается от A ( / iz /) - 0 01 эВ при комнатной температуре до Д ( / ш) - 0 05 эВ при 600 С. Положение таких пиков, соответствующих прямым межзонным переходам в кристаллах GaAs, InP, GaAlAs и InGaAs было определено в температурном диапазоне до 600 С. Положение особых точек определяется с погрешностью не более 5 мэВ, отсюда погрешность термометрии составляет 10 С. [2]
Энергетическое положение всех пиков отражения приведено в таблице. [3]
 |
Спектральные зависимости коэффциентов отражения ( 1, поглощения ( 2 и фотопроводимости ( 3 феррита-граната иттрия. [4] |
В отличие от данных работы [6] в области от 800 до 165 нм не обнаружено длинноволновых пиков отражения при 592 и 490 нм, а при более коротких волнах наряду с ранее наблюдаемыми максимумами выявлены пики отражения при 450, 355, 343, 246 и 167 нм. [5]
Соболевым [15] найдено, что максимумы отражения слоистых кристаллов GaS, GaSe, GaTe и InSe обусловлены прямыми междузонными переходами и величины пиков отражения непосредственно соответствуют междузонным переходам. [6]
Структура спектров отражения ромбических кристаллов Sb2S3, Sb2Se3 и Bi2S3 ( рис. 2 и 3), как уже отмечалось, весьма сходна и отличается только значениями энергии пиков отражения. Отличительной особенностью спектров отражения этих кристаллов является их поляризация и сильная температурная зависимость. Воздействие каждого из этих факторов на одни и те же пики отражения однотипно в обоих кристаллах. Все это, вместе взятое, а также изоморфизм структуры, подобие природы химической связи и физических свойств убедительно показывает, что сложная структура зон в этих кристаллах весьма сходна. [7]
Соболев [82] изучал спектры отражения от полированной поверхности монокристаллов 1п2Те и нашел, что в спектре 1п2Те имеется слабый пик в области 230 ммк и очень интенсивная и широкая полоса при 520 ммк, которые обусловлены прямыми междузонными переходами, и величины пиков отражения определяют размеры междузонных зазоров в 1п2Те; они равны 5 4; 2 4 и 1 ьв. [8]
Соболев [82] изучал спектры отражения от полированной поверхности монокристаллов 1п2Те и нашел, что в спектре 1п2Те имеется слабый пик в области 230 мм к и очень интенсивная и широкая полоса при 520 ммк, которые обусловлены прямыми междузонными переходами, и величины пиков отражения определяют размеры междузонных зазоров в 1п2Те; они равны 5 4; 2 4 и 1 ьв. [9]
Исследование спектров отражения в области фундаментального поглощения является важнейшим методом изучения зонной структуры твердых тел. Энергетическое положение пиков отражения непосредственно определяет величины энергии прямых междузонных переходов в актуальных точках зоны Бриллюэна. Теоретические расчеты структуры зон по методу псевдопотенциала с использованием экспериментально найденных величин энергий важнейших переходов [1] позволили построить схемы зонных структур полупроводников групп IV, III-V во всей зоне Бриллюэна. Было показано, что полуэмпирический метод псевдопотенциала может быть применен также для расчета зонной структуры более сложных, некубических кристаллов, хотя при этом встречаются значительные трудности. В этой связи необходимо детальное экспериментальное исследование спектров отражения таких веществ. Кроме этого, сравнительное исследование спектров отражения гомологических групп кристаллов позволяет сделать некоторые выводы об особенностях зонной структуры и характере ее изменения в зависимости от химического состава, типа связи и кристаллической решетки. [10]
Исследования показали, что для углов q30 обнаруживается пик отраженного излучения при рф3ерк, причем интенсивность этого максимального пика в 3 - 4 раза больше интенсивности пика зеркального отражения. Отмечена особенность возникновения незеркального пика отражения - он более ярко выражен при больших значениях АД - и уменьшается с уменьшением АД; при очень малой оптической шероховатости он практически отсутствует. Направленность незеркального пика смещается в сторону больших углов с ростом АД. [11]
В разновидности метода, получившего название эмпирического метода псевдо потенциала, для нахождения V р используются результаты экспериментальных исследований, прежде всего спектра отражения или вычисляемого из него спектра мнимой части диэлектрической проницаемости. Используя данные по положению пиков отражения, удается вычислять значение Е ( к) в произвольных точках зоны Бриллюэна, что является существенным достоинством метода по сравнению с другими. Его слабой стороной является необходимость подгонки параметров форм-фактора для получения численных значений межзонных расстояний. [12]
Помещая в основной резонатор дополнительные отражающие поверхности, можно отселектировать большинство аксиальных мод. Если между зеркалами резонатора поместить интерферометр Фабри - Перо, то это вызовет сильную амплитудную модуляцию близко расположенных друг к другу пиков отражения основного лазерного излучения, что в свою очередь будет препятствовать достижению порога генерации для большинства мод. [13]
С ростом шероховатости растет диффузная часть отражения, а при облучении под большими углами падения увеличивается доля зеркальной составляющей. В опытах с диэлектриком, так же как и в приведенном выше материале по отражению от шероховатых поверхностей металлов, был также обнаружен незеркальный пик отражения. [14]
В ионных кристаллах излучение соответствующей частоты может сильно взаимодействовать с поперечными оптическими колебаниями решетки. Основной вид оптических колебаний обусловливает появление пика отражения остаточных лучей в далекой инфракрасной области спектра. [15]
Страницы: 1 2