Пик - отражение
Cтраница 2
Как рентгеновские зеркала многослойные структуры в практическом смысле оказались значительно более гибкими, чем обычные кристаллы. Их параметры легко можно изменять, придавая им нужные свойства. Например, подбирая период структуры в соответствии с условием (3.3), можно настраивать пик отражения на данную длину волны, или на данный угол падения, или на то и другое одновременно. Ширину пика можно варьировать в значительных пределах, подбирая пары веществ - компонентов покрытия, толщины слоев и их число. Наконец, можно так подобрать вещества и толщины слоев, чтобы пиковый коэффициент отражения был максимален. Отметим, что аналогичный резонансный характер с максимумом, положение которого определяется условием (3.3), носит и зависимость коэффициента отражения от длины волны. В связи с этим многослойное зеркало является одновременно и дисперсионным элементом для рентгеновского излучения. [16]
Воздействие на твердое тело гидростатическим давлением ( изотропное сжатие) приводит к изменению положения энергетических уровней и, следовательно, к смещению края поглощения. Спектр поглощения полупроводника определяется энергетическим расстоянием между различными минимумами зоны проводимости и валентной зоной. Таким образом, происходит смещение по шкале энергий не только края поглощения, но и Пиков отражения, связанных с переходами, характеризуемыми более высокой энергией. [17]
Убедительное сопоставление остальных пиков отражения с определенными междузонными переходами может быть сделано только на основе детальных теоретических расчетов. Однако расчеты зонной структуры кристаллов с большим числом атомов, занимающих неэквивалентные позиции в решетке, встречают большие трудности. Имеющиеся исследования [13, 14] описывают возможные переходы только в симметричных точках зоны Бриллюэна, тогда как в сложных кристаллах интенсивные пики отражения могут возникать в критических точках, расположенных в общем объеме зоны. По этим причинам сопоставление пиков отражения с определенными междузонными переходами на существующем уровне теоретических зонных расчетов не может быть сделано в рассматриваемых кристаллах. [18]
Наблюдаемые индикатрисы рассеяния часто имеют асимметричную форму. Штриховой линией показан контур падающего на образец пучка. Индикатрисы приведены к единичной интенсивности в максимуме. Отрицательные значения А8 соответствуют углам отражения, большим зеркального. Для нас наиболее существенно то обстоятельство, что пик аномального отражения наблюдается при угле падения, меньшем зеркального, и интенсивность его зависит от шероховатости поверхности отражателя. [20]
Страницы: 1 2