Остальные пики - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
"Я люблю путешествовать, посещать новые города, страны, знакомиться с новыми людьми."Чингисхан (Р. Асприн) Законы Мерфи (еще...)

Остальные пики

Cтраница 2


16 Зависимость отношения / 127 / 226 в спектрах - гексадекана от температуры.| Зависимость коэффициентов относительной чувствительности нормальных парафиновых углеводородов от молекулярного веса. [16]

Особенно заметные различия в масс-спектрах наблюдаются для ионов в диапазоне массовых чисел 41 - 57, что, вероятно, связано с дискриминационными эффектами в этой области. Все остальные пики в спектрах ( включая пики молекулярных ионов) при исследованиях на МХ-1303 имеют несколько большую интенсивность по сравнению с литературными данными, что, по-видимому, обусловлено более низкой температурой ионизационной камеры.  [17]

В этой книге все масс-спектры построены по единому принципу: самый интенсивный пик спектра ( основной, или максимальный, пик) принимается за 100 % и, исходя из этого, вычисляются относительные интенсивности всех остальных пиков. В некоторых масс-спектрах необходимо было уменьшить этот пик в определенное число раз, поскольку в противном случае остальные пики были бы практически незаметны.  [18]

По характеру распада эти соединения близки пиперидинам и пирролидинам. Так, основным в масс-спектре N-этилгексаметиленимина является пик иона [ М - СН3 ], обусловленный разрывом С-С - связи в заместителе, а остальные пики малоинтенсивны.  [19]

Поскольку в спектре имеются пики ионов [ СС13 ], определяемое соединение содержит не менее 3 атомов хлора. Ион с mIZ 97 Содержит только два атома С1, поэтому вполне закономерно предположить, что соответствует иону [ М - Cl ], и проверить, объясняют ли такое предположение остальные пики спектра.  [20]

Поскольку в спектре имеются пики ионов [ СС13 ], определяемое соединение содержит не менее 3 атомов хлора. Ион с m / Z 97 содержит только два атома С1, поэтому вполне закономерно предположить что соответствует иону [ М - С1 ], и проверить, объясняют ли такое предположение остальные пики спектра.  [21]

Вследствие этого при идентификации по литературным данным такие пики целесообразнее всего просто отбрасывать. Для ионов с т / е более 100 относительные интенсивности соответствующих линий воспроизводятся лучше, однако следует иметь в виду, что в том случае, когда максимальный пик, на который производится нормировка всех остальных пиков спектра, имеет малую массу, искажение его интенсивности автоматически вносит искажения и в остальные пики.  [22]

Было показано, что лучший пик этого пестицида в циклогексане соответстаует 230 ммк. Остальные пики могут быть использованы для дифференцировки загрязнений. Метод не был приложен к анализу биосубстратов.  [23]

При пиролизе всех пептидов образуется пропилен, причем при термической деструкции соединений, не содержащих валина, очевидно, вначале отделяется фрагмент - СН2 - СН2 - СО -, который затем восстанавливается до пропилена. Общим для всех пиро-грамм является пик ацетонитрила. Остальные пики на пирограм-мах более специфичны. Этилен, который был обнаружен при пиролизе валина, присутствует в значительных количествах в продуктах пиролиза только пептидов, содержащих валин. Небольшой пик на пирограммс аланил-серина, хотя по времени удерживания совпадает с этиленом, не был идентифицирован по масс-спектрам.  [24]

25 Принципиальная схема приемника ионов. [25]

Изменение расстояния между щелями такой системы осуществляется путем перемещения одной подвижной щели, в то время как другая остается неподвижной. Неподвижная щель расположена в фокальной плоскости, что соответствует центральному лучу. Все остальные пики, находящиеся справа и слева от центрального луча, будут регистрироваться более размытыми, чем центральный, так как линия их фокусов находится в другой плоскости. Учитывая это, а также размытости ионных пучков вследствие возможного расширения выходной щели ионного источника, величины щелей приемника мы выбрали не одинаковыми: для интенсивности, соответствующей более распространенной массе, щель в 1 5 раза превышает ширину щели для редкого изотопа. Ионный пик малораспространенного изотопа попадает на коллектор через неподвижную щель; в свою очередь максимум интенсивности ионного тока, соответствующего более распространенному изотопу, достигается в определенном положении подвижной щели.  [26]

При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототек соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов n - типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более.  [27]

При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототок соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов п-типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более.  [28]

В картотеке А8ТМ имеется также указатель, в к-ром все включенные в картотеку в-ва расположены в порядке убывания межплоскостных расстояний Л для трех наиб, интенсивных дифракц. Этот указатель дает возможность провести качеств, анализ и тогда, когда об исследуемом образце предварительно ничего не известно или когда часть дифракц. В этом случае по указателю следует подобрать три межплоскостных расстояния, последовательность значений кгрых совпадала бы с последовательностью значений А для трех наиб, интенсивных пиков. Затем на дифрактограмме находят остальные пики предполагаемой фазы.  [29]

30 Схематическое изображение процессов селективного возбуждения, ответственных за резкие пики излучения в спектрах ДАП ( в. Фотон накачки с энергией Ншр ( 1 резонансно возбуждает электрон из возбужденного ЗЯ-состояния нейтрального акцепто ра ( 2 в основное 1Я состояние донора, находящегося на расстоянии RDA - Затем дырка на акцепторе релаксирует в основное состояние IS ( 5, и затем рекомбинирует с электроном на доноре, удаленном на расстояние / DA. с испусканием фотона Нш ( 4 - На вставке показано, как селективное возбуждение приводит к образованию узкого пика на широком фоне, обусловленном излучением ДАП от множества других пар с различными расстояниями в паре. [30]



Страницы:      1    2    3