Cтраница 1
Плавление кристаллов происходит при строго определенной температуре, и последняя никаким способом не может быть увеличена по сравнению с характерным для данного кристалла значением. В аморфных и поликристаллических твердых телах при плавлении метастабильные состояния имеют место. [1]
Плавление кристалла сопровождается сужением спектральных линий ЯМР за счет теплового движения, усредняющего магн. Сужение спектральных линий заметно проявляется, когда частота перескоков парамагн. [2]
Плавление кристаллов происходит при Строго определенной температуре, и последняя никаким образом не может быть, увеличена ( го сравнению с характерным для данного кристалла значением. [3]
Плавление кристаллов происходит при строго определенной температуре, и последняя никаким образом не может быть увеличена по сравнению с характерным для данного кристалла значением. [4]
Плавление кристалла не приводит к коренному изменению его структуры. Ближайшее окружение каждого иона в жидкости, т.е. ближний порядок, остается в основном таким же, как в твердом теле. Вместе с тем увеличение объема, связанное с плавлением, создает свободный объем, так что отдельные структурные образования получают возможность двигаться относительно друг друга. Правильное чередование частиц во всем объеме нарушается, при этом дальний порядок исчезает. [5]
Плавление кристаллов происходит при строго определенной температуре, и последняя никаким способом не может быть увеличена по сравнению с характерной для данного кристалла температурой. В аморфных твердых телах в отличие от кристаллов возможно возникновение при плавлении метастабильных состояний. [6]
Плавление кристаллов, образовавшихся в нерастянутом тиоколе А, наступает при температуре окало 70 С. [7]
Плавление кристаллов происходит также при температуре между 60 и 120 С, причем более половины их плавится в интервале между 110 и 120 С. [8]
Плавление кристаллов образца при этих температурах, действительно, можно заметить с помощью оптического микроскопа, однако вследствие мгновенного протекания реакции образования ДСМБ система не успевает перейти в жидкую фазу, а эндоэффект плавления на термограмме ( рис. 3.4, кривые 1 и 3) подавляется более интенсивным экзотермическим эффектом химической реакции. В процессе плавления МВТ происходит разрыв водородных связей, вследствие чего тионная форма становится менее выгодной, и молекулы переходят в тиольную форму [280, 315], поскольку распределение электронной плотности в ионной и тиольнои формах более близки [296], чем в ионной и тионной формах. [9]
Процесс плавления кристалла можно рассматривать как накопление в нем вакансий. С повышением температуры возрастает амплитуда колебаний ионов в решетке вокруг положения равновесия и, когда величина ее превысит среднее межатомное расстояние, начинается переход тела в новое агрегатное состояние - жидкость, пар. В стадии предплавления кристалл испытывает сильное термическое расширение, обусловленное большими амплитудами колебания ионов и разрывом части химических связей. Возникающие в кристалле вакансии склонны к флуктуационному слиянию и при их скоплении образуются линии и поверхности разрыва, которые обособляют друг от друга группировки ионов различного, но небольшого размера. [10]
Температура плавления кристаллов, полученных при последующих упариваниях маточного раствора, несколько ниже, однако этот препарат достаточно чист для применения в последующей стадии. [11]
Температура плавления кристалла должна быть достижима с помощью используемых нагревателей и должна быть ниже температуры плавления тигля. [12]
Температура плавления кристаллов этого препарата и содержание в нем метоксильных групп соответствуют данным для моногидрата 3 4-диметилманнозы. [13]
Температура плавления кристаллов зависит от внешнего давления и от примесей. [14]
Температура плавления кристалла является той температурой, при которой кинетическая энергия составляющих его молекул ( или ионов) становится равной потенциальной энергии решетки, стремящейся удержать молекулы ( или ионы) в определенных фиксированных положениях решетки. Таким образом, удельная теплота плавления равна энергии, поглощенной при разрушении кристаллической решетки. [15]