Cтраница 3
Это не позволяло четко представить картину высвечивания фотонов с плазмы разряда. Для более детального изучения этой картины был использован метод дырочного зонда. [31]
Как известно, в результате установления существования нового состояния плазмы разряда, когда ее свойства определяются не движением электронов и ионов, а излучением, порожденным этими частицами, разработаны мощные плазменные источники оптического излучения, которые по энергетическим характеристикам превышают все имеющиеся источники иного типа. Мощные плазменные источники излучения применяются успешно в фотохимии, литографии, при создании эталонных источников излучения, имитации Солнца и других космических объектов, стерилизации операционного поля при хирургических операциях, в других областях. Главнейшая из них - оптическая накачка лазеров. При этом небольшой по размерам ( с обычный телевизор) плазменный источник заменяет громоздкий и дорогостоящий синхронный ускоритель. [32]
Это объясняется продолжающимся увеличением рабочей поверхности катода с углублением плазмы разряда в направлении от анода к катоду. [33]
Для получения максимальной чувствительности анализа существенную роль играет температура плазмы разряда. При повышении температуры возрастает степень ионизации атомов, отчего уменьшается число нейтральных атомов и интенсивность их последних линий. [34]
Сильные колебания, создающие помехи радиоприему, возникают в плазме разряда люминесцентных ламп. [35]
ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ СВЧ ПРИБОРЫ - класс газоразрядных приборов, в к-рых плазма разряда пост, тока или СВЧ разряда используется в качестве элемента СВЧ цепи. [36]
Указанная закономерность объясняется влиянием рода инертного газа на электронную температуру плазмы разряда. При переходе от гелия к ксенону температура плазмы в соответствии с потенциалом ионизации газа уменьшается, что должно приводить к перераспределению излучения в различных областях спектра. [37]
Накладываемый на дугу импульс может изменить как условия возбуждения в плазме разряда, так и ее состав. [38]
![]() |
Зависимость концентрации ng и электронной температуры Tg от времени в послесвечении гелиевой криогенной плазмы при Т 4 2К и. [39] |
В то же время электронная темп - pa Те в плазме разряда может достигать неск. При прерывании разрядного тока Т е уменьшается из-за столкновений электронов с атомами, как правило, быстрее ( рис. 1), чем успевают исчезнуть из объема заряды вследствие рекомбинации или диффузии - в эти неск. [40]
Как показано в работах [1, 2], расчет молекулярной температуры в плазме разряда при средних давлениях, когда теплопроводность таза не зависит от его плотности, можно произвести, если разрядную зону рассматривать в виде электропроводящего и теплопроводящего стержня с радиусом р и теплопроводностью газа Я. [41]
В настоящее время процессы, происходящие на электродах и в плазме разряда дуги или искры, изучены настолько, что возможно установить некоторые физические явления и выявить требования, которые должны выполняться при проведении количественного анализа. [42]
![]() |
Параметры, характеризующие стойкость свободных пле к фотоокислению при 10 и 60 С течение различного времени. [43] |
Различия в структуре пленок и покрытий выявляются после травления в плазме высокочастотного кислородного разряда. Гистограммы распределения среднего размера структур после травления в плазме высокочастотного кислородного разряда в течение 10 мин представлены на рис. 1.11. Для покрытий характерна мелкоглобулярная сравнительно однородная плотноупакован-ная структура, для свободных пленок - более крупные агрегаты, состоящие из мелких глобулярных структур. [44]
Длительность импульса последнего бцла равна 0 8 мс, а температура плазмы капиллярного разряда - 31000 4000 К. [45]