Электронно-дырочная плазма
Cтраница 2
Большие электрические поля могут привести к пробою диэлектрика; в месте пробоя создается электронно-дырочная плазма, и при рекомбинации носителей могут образовываться экситоны. Если поле сильно локализовано, то при пробое кристалл не разрушается, и в области высоких полей можно наблюдать электролюминесценцию. Если такой электрон столкнется с молекулой, то может произойти ионизация с последующей рекомбинацией, приводящей к электролюминесценции. [16]
Это значит, что в результате ударной ионизации во всем переходе очень быстро образуется электронно-дырочная плазма. Произойдет резкое уменьшение сопротивления перехода и падение напряжения на нем. Затем напряжение снова увеличивается и весь процесс начинается сначала. [17]
В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным дифференциальным сопротивлением 5-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая распространяется за пределы области, ограниченной электродами данного прибора, и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей в прилегающих участках полупроводника. [18]
Монография посвящена теории двойной инжекции в полупроводниках и диэлектриках, а также вопросам применения электронно-дырочной плазмы в твердотельной электронике. Показаны возможности создания эффективных электронных приборов на основе двойной инжекции в твердых телах, а также перспективы использования плазменных явлений в генераторах инжекционной электролюминесценции и других опто-электронных устройствах. Обобщается и излагается с единой точки зрения обширный экспериментальный и теоретический материал, содержащийся в многочисленных отечественных и зарубежных публикациях. [19]
 |
Зависимость интенсивности отказов диодов ( тип А от времени тренировки при нагрузке Ри 0 4 Вт. [20] |
В работах [7, 8] показано, что при лавинном пробое перехода в ло-кальных областях пере-хода вследствие неодно-родностей в полупроводниковом материале возникает электронно-дырочная плазма. [21]
В общем случае необходимо учитывать также диффузию носителей, в результате которой толщина слоя накопления Д, внутри которого существует электронно-дырочная плазма, увеличивается, а толщина обедненного слоя структуры уменьшается. [22]
Поскольку электронная система в проводниках незамкнута относительно решетки и электромагнитных полей, то возможен резонансный режим связывания коллективных электромагнитных мод электронно-дырочной плазмы проводника ( или полупроводника) с акустическими колебаниями решетки. Незамкнутость системы носителей заряда приводит к электромагнитной генерации акустической волны. В этом режиме в металле распространяется акустическая волна, возбужденная внешним электромагнитным полем. Возможен и обратный процесс - когда акустическое возбуждение электромагнитной волны позволяет создать в объеме металла электромагнитные поля значительной интенсивности, существование которых на значительных расстояниях от поверхности металла обусловлено преобразованием ( трансформацией) акустической волны в электромагнитную. [23]
В заключение отметим, что полученные здесь паде-аппрок-симации для термодинамических функций могут служить полезным средством изучения многих термодинамических свойств и фазового равновесия электронно-дырочной плазмы в широкой - области плотностей и температур. Методы изучения частично ионизованных систем описаны в последующих разделах. [24]
Аналогичный процесс происходит в лампе бегущей со.гны. Этот процесс по существу представляет собой Черепкова излучение ультразвуковых волн сверхзвуковым потоком носителей, к-рый создан в электронно-дырочной плазме, твердого тела внешним постоянным нолем. [26]
В основе оптических явлений в полупроводникг х лежит взаимодействие электромагнитного излучения со связанными и свободными носителями заряда, атомами кристаллической решетки, примесными атомами, электронно-дырочной плазмой. Поатому оптические явления включают широкий круг процессов, протекающих в полупроводниковых кристаллах под действием электромагнитного излучения в интервале длин волн от 0 2 до 100 мкм. [27]
Лавинная область или ударная волна лавинной генерации, быстро пробежав обедненный слой диода от р - n - перехода до границы базы с низкоомной подложкой, оставляет за собой электронно-дырочную плазму высокой концентрации, в результате чего проводимость прибора резко увеличивается и напряжение на нем падает. На рис. 5.13 6 показана картина распределения поля внутри области обедненного слоя в один из моментов времени t ( tfi t tz) после перемещения лавинной области на некоторое расстояние от места ее зарождения. Напряженность поля за лавинной ударной волной резко падает из-за образования пространственного заряда носителей, возникших в лавинной зоне. [28]
В этом разделе излагается квантовая статистика электронно-дырочной плазмы, причем рассматривается 1) расчет термодинамических функций, 2) ионизационное равновесие, 3) устойчивость термодинамического равновесия и фазовые диаграммы электронно-дырочной плазмы. [29]
Это вопросы о характере и скорости электронной, элек-трон-фонопной и фонон-фононной релаксации при генерации свободных носителей с плотностью до 1022 в см3 за времена ( 10 - 9 - Ю 14) с, о состоянии, в к ром находится эта сверхплотная электронно-дырочная плазма. Не выяснен окончательно ( особенно в фемтосекундном и пикосекундном диапазонах) механизм плавления кристалла под действием лазера: имеет ли он место благодаря обычному нагреву решетки или благодаря возникновению плазменно-индуцнрованных мягких фо-нонных мод; происходит ли плавление после того, как полученная решеткой энергия термализуется среда всех фононных мод, или когда она остается сосредоточенной в коротковолновом участке зоны Бриллюэна, а фононы в центре зоны остаются холодными. Эти вопросы интенсивно исследуются теоретически и экспериментально. Для окончательного их разрешения первостепенную важность имеет адекватная эксперим. [30]
Страницы: 1 2 3 4