Электронно-дырочная плазма

Cтраница 3

Спектр поглощения кристаллической закиси меди. пики. [31]

Для электронно-дырочной жидкости характерно наличие определ. В отличие от обычной электронно-дырочной плазмы ( см. Плазма твердых тел) или экситонного газа, электронно-дырочная жидкость не расплывается по всему образцу, а занимает лишь ограниченный объем. [32]

Лавинное умножение носителей в ОПЗ полупроводника ( см. рис. 5.15, г) возникает при приложении к низкоомной структуре МДП больших ( как правило, импульсных) электрических полей. Оно характеризуется значительным разогревом электронно-дырочной плазмы. Так, согласно проведенным в работе [511] оценкам, температура электронного газа при лавинном умножении достигает 5000 К, что способно обеспечить заброс электронов из зоны проводимости полупроводника в зону проводимости диэлектрика и привести, таким образом, к появлению электронной проводимости диэлектрика. [33]

Световые импульсы наблюдаются и при обратном включении светодиода. В этом случае свет излучается электронно-дырочной плазмой, возникающей при пробое. Однако при прямом включении светодиода световыход обычно в 3 раза превышает световыход при обратном включении. [34]

Световые импульсы наблюдаются и при обратном включении све-тодиода. В этом случае свет излучается электронно-дырочной плазмой, возникающей при пробое. Однако при прямом включении свето-диода интенсивность излучения превышает интенсивность при обратном включении. [35]

На рис. 6.11 показано поведение химического потенциала симметричной электронно-дырочной плазмы. [36]

Как уже отмечалось выше, изолирующая пленка может быть получена непосредственно из самого полупроводника, что должно устранить вредную границу раздела. В этом случае возможны два механизма инжекции: туннелирование дырок из металла через тонкую изолирующую пленку или инжек-ция дырок из электронно-дырочной плазмы, созданной ударной ионизацией электронами, проникшими через изолирующий слой. Последний механизм обусловливает, видимо, интенсивную люминесценцию, наблюдавшуюся у теллурида цинка. [37]

Однако, как показал Л. В. Келдыш [25, 291], возможны также ситуации, когда газ экситонов распадается не на биэкситоны, а на электронно-дырочные капли. Согласно [291], электронно-дырочные капли ( ЭДК) - это сгустки новой равновесной фазы, в которой электроны и дырки образуют вырожденную электронно-дырочную плазму. Именно такая ситуация имеет место в кремнии и германии, которым как раз и посвящено подавляющее большинство как экспериментальных, так и теоретических исследований. [38]

США только в 1964 г. Как показали исследования советских ученых в 1959 - 1961 гг., явление генерации и усиления СВЧ-колебаний электронно-дырочной плазмой, возникающей при ударной ионизации и лавинном пробое полупроводников, носит общий характер и может наблюдаться в диодах с разной структурой, изготовленных из различных полупроводниковых или диэлектрических материалов. [39]

На рис. 11.188 изображены ВАХ для n - InSb в области пинч-эффекта для различных значений магнитного поля. Образование пинч-эффекта идет тем быстрее, чем больше подвижность носителей тока. После наступления ударной ионизации свойства электронно-дырочной плазмы в веществах п - и р-типа становятся одинаковыми. В связи с ростом концентрации свободных носителей тока в InSb, вследствие ударной ионизации [550] наблюдается рост отражения в микроволновой области при 77 К. [40]

Особенности двойной инжекции сказываются на участке 4 рассматриваемой1 характеристики. Повышение плотности тока на участке 3 приводит к тому, что электронное и дырочное облака пространственного заряда взаимопроникают друг в друга: электроны нейтрализуют дырочный объемный заряд у анода, а дырки, в свою очередь, нейтрализуют электронный объемный заряд у катода. Область неустойчивого тока между t / 2 и U3 характеризует наличие в диэлектрике инжектированной электронно-дырочной плазмы. [41]

В этом разделе мы рассмотрим двухкомпонентную полностью симметричную плазму, у которой массы положительных и отрицательных частиц одинаковы, и почти симметричную плазму С близкими значениями этих масс. Полностью симметричная плазма обладает интересными свойствами подобия и обнаруживает много общего с однокомпонентной плазмой. Примером полностью симметричной плазмы могут служить электрон-по-зитронные системы, которые в недалеком будущем можно будет создавать при помощи мощных ускорителей. Примером почти симметричной системы может служить электронно-дырочная плазма, также устойчивая лишь на коротких временных интервалах. [42]

Укорочению импульса разрежения ( рис. 3.34) до та1 - 10 пс может препятствовать диффузия неравновесных носителей. Действительно, из-за экранировки электрон-фононного взаимодействия тр 6 пс ( Si), поэтому то 25 пс. Однако это заключение нельзя считать бесспорным, так как существуют экспериментальные наблюдения [100], указывающие на удержание плазмы вблизи поверхности полупроводника в потенциальной яме, возникающей при нагреве приповерхностной области. В целом вопрос о характере движения фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в настоящее время является открытым; существуют эксперименты [101, 102], указывающие на ее сверхзвуковое ( с дрейфовыми скоростями 1д до 107 - 108 см / с) гидродинамическое расширение, наряду с экспериментами [103], в которых не удалось реализовать ускорение плазмы до скоростей, превышающих скорость медленной поперечной акустической моды. Ответ на этот вопрос могут дать и акустооптические эксперименты. Например, если в условиях вышепроведенного расчета реализуется дрейфовое расширение плазмы в течение времени тя-ти, то акустический сигнал на детектор должен прийти на время Атидти / са-1 - 10 не раньше, чем в отсутствие ее сверхзвукового движения. Если же переход плазмой звукового барьера не реализуется, то ее движение ни при каких условиях не уширяет акустические импульсы. [43]

Распределение напряженности электрического поля в слаболегированной п-области р-гс-перехода в различные моменты времени при работе лавинно-пролетного диода в режиме с захваченной плазмой. [44]

Принцип действия при этом режиме работы связан с тем, что скорость перераспределения электрического поля в структуре диода может значительно превышать скорость дрейфа носителей заряда. На рис. 3.59 показано распределение напряженности электрического поля в слаболегированной n - области р - п-п - структуры лавинно-пролетного диода в различные моменты времени после включения диода на обратное напряжение, превышающее пробивное напряжение. В первый момент ( t) напряженность электрического поля максимальна около металлургической границы. Именно здесь из-за ударной ионизации начинается образование электронно-дырочной плазмы. Это приводит к перераспределению электрического поля в п-области. [45]

Страницы: 1 2 3 4