Cтраница 1
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто ры предназначены для использования в импульсных схемах в вычислительных устройствах и приборах автоматики. [1]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто - ры предназначены для. [2]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-га-р-транзисто - ры предназначены для работы в схемах переключения, импульсных быстродействующих схемах, а также в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты. [3]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в схемах переключения, а также для усиления и генерирования сигналов высокой частоты. [4]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для работы в вычислительных и других быстродействующих импульсных схемах, а также для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. [5]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-га-р-транзисто - ры предназначены для работы в неремонтируемых гибридных импульсных схемах, узлах и блоках. [6]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные я - р - л-транзисто-ры предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках. [7]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для использования в усилительных, генераторных и переключающих схемах. [8]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для переключения, усиления и генерирования колебаний ВЧ и СВЧ диапазона, а также для использования в других схемах. [9]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-я-транзисто - ры предназначены для работ в составе гибридных неремонтируемых схем, мик-ромодулей, узлов и блоков, аппаратуры. [10]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для работы в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках. [11]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-я-транзисто - ры предназначены для работы в составе неремонтируемых гибридных схем, узлов, микромодулей и блоков в усилительных устройствах аппаратуры широкого применения. [12]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-гс-транзисто - ры предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах генерирования и усиления мощности СВЧ диапазона, микромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту от действия света, влаги, агрессивных сред, соляного тумана, плесневых грибков. [13]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто - ры СВЧ предназначены для работы в аппаратуре связи и в радиотехнической аппаратуре. [14]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные и-р-п-транзисто - ры предназначены для работы на частотах выше 100 МГц в схемах усилителей мощности KB и ДЦВ диапазона, умножителей частоты, автогенераторов, в импульсных схемах. [15]