Cтраница 2
Кремниевые планарно-эпитаксиальные с n - каналом и диффузионным затвором транзисторы предназначены для использования в радиовещательной, приемно-усилительной, телевизионной и другой аппаратуре. [16]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные с п-каналом и диффузионным затвором транзисторы предназначены для работы в составе гибридных интегральных схем коммутаторов и схем линейного усиления. [17]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р - п - р-транзисто-ры предназначены для работы в схемах радиовещательных приемников и в другой аппаратуре. [18]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто - ры предназначены для использования в быстродействующих переключающих микросхемах, в микромодулыгых узлах и блокам, имеющих герметичную защиту. [19]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто - ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты, а также в различных импульсных схемах. [20]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто - ры предназначены для работы в ВЧ и СВЧ усилителям и в переключающих схемах. [21]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р - - транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты в быстродействующих импульсных, а также в других схемах. [22]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п - / з-транзисто - 1ы предназначены для усиления и генерирования колебаний, а также для работы в других схемах. [23]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р - - транзисторы предназначены для работы в усилительных устройствах. [24]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р - - транзисторы предназначены для работы в составе неремонтируемых гибридных схем микромодулей, узлов и блоков, используемых в усилительных устройствах. [25]
Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р - - транзисторы предназначены для работы на частотах выше 300 МГц в схемах усилителей мощности, умножителей частоты и автогенераторов. [26]
Импульсные кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р - я-транзисторы предназначены для работы в гибридно-пленочных схемах, микромодулях, узлах и блоках специальной аппаратуры, имеющей герметичные корпуса или иную защиту от действия внешней среды. [27]
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные. Предназначены для работы в устройствах ограничения и стабилизации СВЧ мощности, защиты входных цепей приемников сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн. [28]
Тиристоры кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-р триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности в герметизированной аппаратуре. [29]
Транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п - р маломощные. [30]