Кристаллическая пластина

Cтраница 1

Кристаллические пластины 3 загружают в кварцевую трубу через ее открытый выходной конец 4, сообщающийся с атмосферой. [1]

Функция плотности состояний кремния в приповерхностной области. [2]

Если кристаллические пластины мысленно уложить в стопку, оставив между ними достаточно широкие зазоры, то поверхностные состояния можно исследовать, применяя для таких трехмерных систем классические методы теории энергетической зонной структуры. Так, в расчетах электронной структуры ( 001) поверхности лития [28] и ( 111) поверхности алюминия [29] для этих целей был применен метод псевдопотенциала. Во втором из названных расчетов в качестве модели рассматривались стопки пластин, состоящие из 12 атомных слоев каждая. Вакуумный зазор между пластинами равнялся толщине трех атомных слоев. [3]

Площади кристаллических пластин, облучаемые при образовании рентгеновского муара, определяются геометрией освещения и могут быть увеличены сканированием. В опубликованных работах эти площади имеют поперечники порядка 1 - 5 мм и более. Периоды муара меняются в пределах от немногих микрон до миллиметров, откуда следует, что этим методом можно изучать относительные деформации Ad / d в пределах от 10 - 4 до 10 - 8 и повороты отдельных участков кристалла на величины от одной до десятых долей угловой секунды. Интерпретация подобных деформаций в настоящее время представляется неясной. [4]

В кристаллической пластине ПВМС используется продольный электрооптический эффект. [5]

Загрязненные быстродиффундирующими примесями кристаллические пластины полупроводника можно очистить, если нагреть их в контакте с геттерирующими веществами. При этом электрофизические свойства полупроводникового материала полностью восстанавливаются. Эффективные геттеры для удаления примесей из германия - In, Pb, Sn и др., из кремния - стеклообразный борный или фосфорный оксидный слой. [6]

Необходимость внесения некоторых изменений в технологию изготовления ориентированных кристаллических пластин в рассматриваемом случае вызывалась главным образом уменьшением толщины пластин, которая была доведена до 0 1 мм. [7]

Простейшим элементом надмолекулярных кристаллических образований теломеров ВХ является кристаллическая пластина, которая построена из полностью вытянутых цепей, ориентированных перпендикулярно поверхности пластин. Кристаллит теломера состоит из многослойных пластинчатых кристаллов. [8]

Для подведения постоянно сохраняющегося потенциала к верхней обкладке кристаллической пластины, электропроводность которой надлежало исследовать, применялась высоковольтная батарея, состоящая из 1000 последовательно соединенных аккумуляторов; соответствующими переключениями можно было постепенно, через каждые 100 в. W и Ws на проводник L, который надо представлять себе подведенным к верхней обкладке кристаллической пластинки в 1 - м ( или во 2 - м) ящичке ( рис. 2), может быть подан положительный или отрицательный заряд, а также подключен потенциал земли. [9]

Для подведения постоянно сохраняющегося потенциала к верхней обкладке кристаллической пластины, электропроводность которой надлежало исследовать, применялась высоковольтная батарея, состоящая из 1000 последовательно соединенных аккумуляторов; соответствующими переключениями можно было постепенно, через каждые 100 в. L, который надо представлять себе подведенным к верхней обкладке кристаллической пластинки в 1 - м ( или во 2 - м) ящичке ( - рис. 2), может быть подан положительный или отрицательный заряд, а также подключен потенциал земли. [10]

Эпитаксией называется процесс ориентированного нарастания кристаллического слоя на ориентированной кристаллической пластине - подложке. Полученные в результате эпитаксиального процесса слои полупроводника, находящиеся на подложке из полупроводника или диэлектрика, называют эпитаксиалъной структурой. По числу слоев полупроводника такие структуры могут быть одно - и многослойными. [11]

Вертикальный осветитель к поляризационному микроскопу. [12]

В первом случае наблюдают обычно равномерно распределенную по поверхности кристаллической пластины ту или иную окраску или общее просветление или потемнение поля зрения, тогда как во втором случае, при использовании сходящихся пучков, наблюдают так называемые коноскопические интерференционные фигуры, характерные для кристаллов определенной сингонии в ориентировки их оптических осей. [13]

Конструкция модулятора ПРОМ, работающего на пропускание считывающего света ( а и на отражение ( б. [14]

Это делается, чтобы избежать попадания отраженного от поверхности кристаллической пластины света в область, где формируется считываемое изображение. Пластины могут быть изготовлены различной средней толщины, как правило, от 0.25 до 1 мм. После обработки поверхностей до оптического качества пластина покрывается изолирующими диэлектрическими слоями полипараксилилена. Затем на слои диэлектрика с двух сторон наносятся прозрачные электроды. [15]

Страницы: 1 2 3 4