Кристаллическая пластина
Cтраница 4
В ИПФ сканирование возможно путем изменения одного или нескольких параметров, от которых зависит величина разности фаз, вносимой различными ступенями. Очевидно, этими параметрами будут толщины кристаллических пластин и показатели двойного лучепреломления. [46]
В результате электрооптический кристалл в структуре такого ПВМС должен быть изолирован по крайней мере от одного из электродов. Если оба электрода расположить непосредственно на поверхностях кристаллической пластины, поверхности кристалла окажутся эквипотенциальными, U ( х, у) const и, следовательно, фЬ2 const, сколько бы сложное электрическое поле не было создано внутри электрооптического кристалла. Таким образом, пространственная модуляция кристаллом, не изолированным от электродов, за счет продольного электрооптического эффекта невозможна. [47]
Назвав лищь некоторые из замечательных свойств ПЗС, представляющие интерес с точки зрения использования в ПВМС, рассмотрим пространственно-временной модулятор света на основе жидкого кристалла и фогочувствительпой ПЗС-структуры. Oii образован прямым контактом жидкого кристалла с кремниевой кристаллической пластиной, на внешней стороне которой выполнена ПЗС-структура. [48]
Чистый изгиб прямоугольной пластины был впервые использован Е. С. Федоровым [57] при создании линейки для черчения пологих дуг, носящей с тех пор его имя. Однако мысль о возможности применить аналогичный прием для изгиба кристаллических пластин в светосильных фокусирующих спектрографах возникла относительно недавно. Она была высказана почти одновременно в работах различных исследователей [58, 59, 60], предложивших несколько основанных на этом принципе и весьма близких по конструкции кристаллодержателей. Наиболее полно, однако, этот вопрос был рассмотрен в работе А. Б. Гиль-варга, который предложил три схемы кристаллодержателей, основанных на принципе чистого изгиба и в большей или меньшей мере пригодных для использования в фокусирующих рентгеновских спектрографах. [49]
На рис. 8.7 показаны две конструкции модулятора ПРИЗ. Первая аналогична конструкции модулятора ПРОМ и отличается только ориентацией кристаллической пластины. Во втором варианте диэлектрические слои, изолирующие электроды от кристалла, отсутствуют и электроды наносятся непосредственно на поверхность кристалла. В этом случае ПРИЗ имеет наиболее простую конструкцию среди всех известных ПВМС. Как правило, модуляторы изготавливаются из кристаллических пластин толщиной 300 - - 600 мкм. Если ПВМС с диэлектрическими слоями, то они имеют толщину 2 - 6 мкм и могут быть изготовлены, например, как и в случае ПРОМа, из па-рилена. На рис. 8.8 приведена фотография ПРИЗа, изготовленного в Физико-техническом институте им. [50]
Смещение полосы пропускания ИПФ возможно посредством изменения температуры. Возможность такого способа сканирования объясняется зависимостью величины двойного лучепреломления и толщины кристаллических пластин от температуры. При этом способе сканирования область сдвига ограничена, поэтому удобно использовать изменение температуры для сканирования полосы в окрестности тах. Недостатком этого способа является существенная его инерционность. [51]
Процесс получения омических контактов сплавлением заключается в следующем. Тонкий слой металла, металлическую навеску или шарик, нанесенные на поверхность кристаллической пластины, нагревают до температуры, при которой они плавятся. При этом происходит растворение в них небольшого количества полупроводника. При охлаждении системы полупроводник с растворенными в нем атомами металла и легирующими примесями кристаллизуется. Важную роль в процессе сплавления играет смачиваемость полупроводника металлом. Для улучшения смачиваемости поверхность полупроводника очищают от примесей и оксидных слоев. Применяют флюсы для удаления остаточной поверхностной пленки. Чтобы при охлаждении от температуры сплавления до комнатной в области контакта полупроводник - металл не возникали большие остаточные напряжения, необходимо выбрать полупроводник и металл с близкими по значению термическими коэффициентами расширения. [52]
Кривая 1 дает рассчитанные потери при учете наблюдаемой перестройки доменной структуры; 2 - вычисленные вихретоковые потери по формуле Р - 1 / cosa. Сплошные кривые на а - экспериментальные данные, полученные на мо но кристаллических пластинах БЪ-3 мас. [54]
 |
Модель строения аморфного полимера по Нею. Д - упорядоченный домен, МД - междоменная область. [55] |
Домены могут играть роль зародышей кристаллизации, о которых шла речь выше. При этом сам процесс кристаллизации осуществляется таким образом, что домен непосредственно образует кристаллическую пластину и на ее поверхности происходит дальнейшее складывание цепей. [56]
Предполагается, что ось г ортогональна к поверхности кристалла. Для создания в кристалле внешнего поля используется пара прозрачных электродов, расположенных на поверхностях кристаллической пластины. Кристалл освещается; записывающим и считывающим светом через эти электроды. [57]
Страницы: 1 2 3 4