Затравочная пластина

Cтраница 1

Полированный срез 1120 из г-кристалла синтетического кварца, облученного. [1]

Затравочная пластина, на которой производилось наращивание кристалла, изготавливалась из пирамиды пинакоида 0001 кристалла синтетического кварца, которая, как известно, не окрашивается при облучении. При наклоне же пластины вокруг любого направления, но так, чтобы луч зрения обязательно составил с ее поверхностью острый угол, наблюдается явление плеохроизма, а именно: изменение окраски кристалла от фиолетово-дымчатой до зеленовато-дымчатой. Однако изменение цвета в двух противолежащих пирамидах роста происходит во взаимно обратном порядке: в то время как одна из пирамид роста приобретает фиолетовый оттенок, другая окрашивается в зеленоватый цвет. Было также обнаружено, что эффект аномального плеохроизма обладает энан-тиморфизмом. В аналогичных препаратах, но приготовленных из левого и правого кварца, смена окрасок в пирамидах г происходит таким образом, что наблюдаемые картины могут быть получены путем отражения в плоскости симметрии. [2]

Крепление затравочных пластин к кристаллодержателям производится либо проволочными петлями через два отверстия в затравке, расположенные на расстоянии 2 - 3 мм от торцевой части затравки, параллельной грани гексагональной призмы, либо с помощью специальных зажимов различных конструкций из тонкой стальной проволоки или фольги. Детали креплений обычно зарастают в кристалле и удаляются при распиловке товарных образцов на затравки. [3]

На затравочных пластинах, вырезанных перпендикулярно к L3, были получены хорошо ограненные кристаллы корунда с замутненной ( молочного цвета с голубым оттенком) пирамидой роста базисной грани за счет захвата ею мелкочешуйчатой серебристой твердой фазы, выпадающей из расплава одновременно с корундом. [4]

Механические повреждения затравочной пластины, такие, как трещины, а также искусственно образованные отверстия и запилы, являются источниками дислокаций. Многочисленные подтверждения этому были получены при съемке рентгеновских то-пограмм. На рис. 20 видны пучки дислокаций, исходящие от трещины в затравочной пластине. На поверхности пинакоида этого кристалла на фоне рельефа булыжной мостовой в участке над трещиной расположена гряда активных акцессорий роста. [5]

Устройство контейнеров для затравочных пластин еще более разнообразно, чем для шихты, и определяется в основном технологическими требованиями. Так, от требуемой величины нароста кристаллов в цикле зависит плотность завески затравочных пластин, а их ориентация связана с формированием оптимальных условий роста и подбирается отдельно для каждого вида выращиваемых кристаллов. [6]

Этот метод был несколько модифицирован: затравочные пластины в виде дисков, набранных на кристаллодержатель, опускались в глубь расплава в достаточно высоком тигле. [7]

Ранее было показано, что использование бездислокационных затравочных пластин и специальных технологических приемов выращивания обеспечивает получение крупных практически бездислокационных пирамид с. При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К - Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества ( с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [8]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой эНантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. [9]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой энантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. [10]

Кристаллы оптического кварца наращивают на обращенной вниз стороне горизонтально расположенной затравочной пластины. Маловероятно, чтобы эти Рис-включения в столь больших количествах и почти во всех циклах выращивания заносились под экран потоками раствора. Остается предположить, что включения эти представляют собой продукт взаимодействия раствора с экраном ( оксиды или силикаты железа или иных компонентов), отслоившихся от него и осевший на поверхность кристалла. Экспериментальная проверка этого предположения легко может быть проведена путем выращивания контрольного кристалла, экранированного пластиной из благородного металла. [11]

Кристаллы оптического кварца наращивают на обращенной вниз стороне горизонтально расположенной затравочной пластины. Остается предположить, что включения эти представляют собой продукт взаимодействия раствора с экраном ( оксиды или силикаты железа или иных компонентов), отслоившихся от него и осевший на поверхность кристалла. Экспериментальная проверка этого предположения легко может быть проведена путем выращивания контрольного кристалла, экранированного пластиной из благородного металла. [12]

Газожидкие включения раствора в синтетическом кварце. [13]

Как отмечалось, крупные отверстия и углубления на поверхности затравочной пластины обычно зарастают не сразу и наследуются в наросший слой, причем длина возникающей пирамидальной полости в 2 - 3 раза превышает диаметр отверстия. В некоторых случаях ( кристаллизация из растворов гидроксида калия, поташа и др.) залечивание каналов может произойти на значительном ( 15 - 20 мм при диаметре канала, равном 0 2 - 0 4 мм) расстоянии от поверхности затравки. [14]

Определенные выводы в отношении возможного механизма роста кристаллов кварца на затравочных пластинах различных ориентации могут быть сделаны на основе анализа геометрии поверхности скоростей роста этих кристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3