Затравочная пластина

Cтраница 2

Определенные выводы в отношении возможного механизма роста кристаллов кварца на затравочных пластинах различных ориентации могут быть сделаны на основе анализа геометрии поверхности скоростей роста этих кристаллов. [16]

Только этим методом удалось получить постоянно воспроизводимые направленные наросты слюды на затравочных пластинах, однако качественного кристалла получено не было. Основным дефектом получаемого нароста были газовые включения - полости, пронизывающие весь кристалл, начиная от затравочной пластины. Было отмечено, что число и размер газовых полостей ( пузырей) некоторым образом зависят от герметичности тигля: в герметичном, заваренном с обоих торцов тигле включений заметно меньше, чем в открытой системе. [17]

Снижение давления не препятствует формированию аметистовых центров окраски, однако ромбоэдрические кристаллы в подобных условиях интенсивно растрескиваются из-за недостаточно эффективного предварительного гидротермального протравливания затравочных пластин н сохранения дефектного, аморфизиро-ванного слоя кварца. При прочих равных условиях использование затравок, параллельных г-грани, обеспечивает возможность массового производства однородных кристаллов аметиста с промыш-ленно приемлемыми скоростями и необходимой интенсивностью и чистотой фиолетовой окраски. При этом следует создавать в гидротермальном растворе избыток трехвалентных ионов железа и снижать содержание примесных ионов алюминия, с которыми, как уже отмечалось, связаны дырочные центры дымчатой окраски. В облученном кристалле спектры поглощения от обоих типов центров накладываются один на другой, что, естественно, ухудшает чистоту аметистовой окраски. Поскольку коэффициент захвата структурной примеси алюминия находится в прямой зависимости от температуры выращивания, в то время как коэффициент поглощения примеси железа в исследованном температурном интервале существенно не зависит от температуры, предпринимались попытки получения аметистов без дымчатого оттенка окраски за счет температуры синтеза. [18]

Промышленному освоению методики гидротермальной перекристаллизации кварца в значительной мере способствовали геологические службы, обеспечивающие новое производство уникальными по размеру и однородности кристаллами, из которых были изготовлены первые партии крупноразмерных затравочных пластин различной, преимущественно базисной ориентации. В дальнейшем для выращивания пьезооптических кристаллов в массовом количестве стали применяться затравки из синтети ческих кристаллов, производство которых осуществлялось параллельно с выпуском товарной продукции для радиоэлектронной и оптической промышленности. Поскольку в процессе перекристаллизации нарастание кристаллов по граням гексагональной призмы практически не происходило и основная деловая пирамида роста плоскости базиса интенсивно выклинивалась положительным и отрицательным ромбоэдрами, для обеспечения технически приемлемых размеров синтетических кристаллов пьезокварца эпизодически требовалось пополнять затравочный фонд за счет природного кристаллосырья. Наряду с этим во ВНИИСИМС была разработана и внедрена рациональная каскадная система воспроизводства синтетического затравочного кварца, что позволило стандартизировать размеры и форму товарных затравок базисной ориентации. [19]

К наиболее существенным факторам, влияющим на скорость роста, могут быть отнесены следующие: Т - температурный перепад между камерами роста и растворения; S, - площадь поверхности затравочных пластин; 52 - площадь активной поверхности растворения шихты; Q - интенсивность циркуляции раствора между камерами роста и растворения ( массовый расход); б, 62 - толщина диффузионного слоя соответственно около растущей грани кристалла ( дворник кристаллизации) и растворяющейся поверхности шихты. [20]

К наиболее существенным факторам, влияющим на скорость роста, могут быть отнесены следующие: Т - температурный перепад между камерами роста и растворения; 5, - площадь поверхности затравочных пластин; 52 - площадь активной поверхности растворения шихты; Q - интенсивность циркуляции раствора между камерами роста и растворения ( массовый расход); б, &2 - толщина диффузионного слоя соответственно около растущей грани кристалла ( дворник кристаллизации) и растворяющейся поверхности шихты. [21]

Значительные успехи в разработке методики синтеза кварца в контролируемых и воспроизводимых условиях при низких давлениях были достигнуты после того, как было детально исследовано температурное поле в рабочей камере автоклава с помощью термопар, установленных в трубчатых осеэых карманах, найдены технологические параметры ввода автоклавов в режим роста, обеспечивающие равномерное протравливание затравочных пластин для удаления аморфизованного обработкой, дефектного поверхностного слоя и предотвращения растрескивания растущих кристаллов при относительно низких температурах. [22]

Переход бразильских двойников из пирамиды /. в г-компоненту дофинейского двойника. Ув. 5. [24]

Были поставлены специальные опыты по выращиванию кварца на затравках базисного среза из природного кварца, содержащих крупные бразильские двойники крышеподобной формы. Предварительное протравливание затравочных пластин показало, что все двойниковые вростки в них имеют - ориентацию. [25]

Кристаллы синтетического кварца, выращенные на затравках различной ориентации. а - с-кристалл. б - дг-кристалл. в - г-кристалл.| Секторнальное строение кристаллов. [26]

Скорости нарастания кварца в этих направлениях примерно того же порядка, что и у пина-коида. Использование в качестве затравок протяженных затравочных пластин и стержней приводит к тому, что форма и размеры выращиваемых кристаллов кварца в значительной степени определяются формой и размером затравочной пластины или стержня. Только при очень длительном выращивании или использовании затравочных пластин малых размеров конечная форма кристалла содержит грани с минимальными скоростями роста. Во всех остальных случаях на кристалле присутствуют нестабильные грани и поверхности. [27]

График зависимости роста. [28]

Диафрагма разделяет рабочую полость автоклава на две камеры ( зоны): верхнюю камеру роста и нижнюю камеру растворения. В камере роста на металлических рамках закрепляются соответствующим образом ориентированные затравочные пластины. В камере растворения в металлических контейнерах ( корзинах) находится шихта - как правило, природный минерал, например кристаллический или жильный кварц с размером кусков до 20 - 40 мм. [29]

Хейл в лаборатории фирмы Браш осуществил синтез кварца на базисных затравочных пластинах в 6 % - ном содовом растворе при давлении 35 МПа, используя для этой цели конструкцию установки из спаренных горизонтально установленных и непрерывно покачиваемых автоклавов. [30]

Страницы: 1 2 3