Пленка - алюминий
Cтраница 3
Надежной защитой люминофора от воздействия отрицательных ионов является пленка алюминия. Поэтому на алюминированных экранах ионное пятно не возникает. В трубках, у которых экран не алн минирован, для борьбы с ионным пятном применяют так называемые ионные ловушки. Они препятствуют выходу из прожектора отрицательных конов, образующихся в области катода, и тем самым предотвращают появление на экране ионного пятна. [31]
Вследствие высокой химической активности германата висмута при нанесении пленки алюминия непосредственно на поверхность подложки происходит взаимная диффузия материалов, особенно при повышенных температурах. [32]
 |
Устройство для испарения металлов в вакууме. [33] |
Таким способом, например, стекло можно покрывать пленками алюминия, магния, меди, серебра, золота, платины, железа, никеля, xpoiMa и других металлов. [34]
При температурах конденсации 250 - 300 С в пленках алюминия появляются кристаллиты размером 0 6 - 0 8 мкм, причем по мере повышения температуры размер их увеличивается. Конденсация алюминия при температуре 350 С приводит к образованию крупных кристаллитов размером 1 - 1 5 мкм, что можно объяснить уменьшением числа зародышей при повышении температуры конденсации. [35]
Второй подход состоит в одновременном ( совместном) ХОГФ пленок алюминия и меди. Поверхность осаждаемых пленок А1 [ Си ] была зеркальной, и медь равномерно распределялась по толщине пленки после отжига в водороде при Т - 400 С в течение 30 минут. [36]
На рис. 9, в приведена зависимость цикловой скорости осаждения пленки алюминия от длительности цикла воздействия водородной плазмой при 5-секундном цикле подачи ТМА и 15-секундных циклах продувки реактора аргоном. Зависимость показывает, что цикловая скорость осаждения становится постоянной и равной 0 15 нм / цикл при времени цикла воздействия водородной плазмой более 5 секунд. [37]
Треххлоркстый алюминий ( А1С13) практически не используется для осаждения пленок алюминия в процессах ХОГФ с помощью пиролиза или водородного восстановления. Так осаждение пленок может быть осуществлено только при горячем реагенте на холодной поверхности подложки ( пластины), что сильно усложняет и удорожает конструкцию промышленного реактора. [38]
Активация поверхности металлических и диэлектрических подслоев, на которые необходимо осадить пленки алюминия, в целях исключения процесса случайного зародышеобразования и селективного осаждения пленки на них может быть выполнена либо их предварительным экспонированием в парах TiCl4, либо нанесением на них магнетронным распылением зародышевого слоя нитрида титана. Слой TIN также улучшает поверхностную гладкость и закрывает поры на поверхностях осаждения. [39]
Таким способом Гопкинс, Ми и Паркер [59] установили, что пленка алюминия на стекле вполне может служить отсчетным электродом при давлении 02 вплоть до 1 мм рт. ст. КРП между очищенной методом вспышки фольгой вольфрама и пленкой золота, полученной и выдержанной в условиях ультравысокого вакуума, оказалась равной 4 - 0 16 В. При введении кислорода до давления 1 мм рт. ст. КРП резко понизилась до - 1.15 В. Быстрая откачка до 10 - 8 мм рт. ст. не привела к заметному изменению, а исходное значение 0.16 В было получено вновь после очистки вспышкой вольфрамовой фольги в отдельной части ячейки, экранированной от пленки золота. Таким образом, ПП кислорода на золоте равен нулю в пределах ошибки измерения 0.02 В. [40]
 |
Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [41] |
Базовые и эмиттерные контакты получают, напыляя на пластины в вакууме пленку алюминия толщиной 0 5 мк и создавая на ней нужный рисунок методом фотолитографии. [42]
Установлено, что истинная поверхность матированного кварца с нанесенной на него пленкой алюминия толщиной порядка десятков ангстрем приблизительно в 30 раз превышает видимую геометрическую поверхность. [43]
При Т 300 С углерод уже содержится как примесь в ХОГФ пленках алюминия, увеличивая их удельное сопротивление. [44]
Реакторы для травления также обрабатывают по одной пластине и производят селективное удаление пленок алюминия, вольфрама, кремния, поликремния, двуокиси кремния и фоторезиста, а также бесчисленных загрязнений. Данная технология требует огромного количества воды и электроэнергии. Планаризация ( получение плоских пленок) осуществляется способом влажной химической и механической полировки. Попросту говоря, дело заключается в следующем. [45]
Страницы: 1 2 3 4