Cтраница 4
Несовместимыми оказываются резистивные пленки на основе диоксида олова, с нанесенными на них пленками алюминия для осуществления электрического контакта. При нагревании этой комбинации веществ обнаруживается ее термодинамическая неустойчивость ( AG0): SnC2 начинает восстанавливаться алюминием, образуется изолирующий слой А12О3, который прерывает пленку резистора. Приходится вводить промежуточный слой никеля, который не реагирует при нагреве с SnO2 ( ЛС0) и с алюминием, обеспечивая тем самым надежный контакт. [46]
Наиболее широко применяется МДП-структура на кремнии, где диэлектриком служит диоксид кремния, затвором - пленка алюминия. [47]
![]() |
Рабочие инструменты для термокомпрессии и виды соединений. [48] |
Золотой гибкий про: во-лочный вывод 3 помещается над контактной площадкой 2, представляющей собой пленку алюминия толщиной около 1 мкм. [49]
Существенное влияние на стойкость деталей, работающих при повышенных температурах, оказывает также покрытие поверхности пленкой алюминия или хрома. Состав многофазного алюминиевого покрытия изменяется в результате проходящих при высоких температурах диффузионных процессов в слое твердого раствора алюминия и железа. [50]
Хейман и Майнерс [43] подтвердили это наблюдение и показали, что количество массы, перенесенной в пленке алюминия, зависит от размера зерна алюминия. [51]
Также несовместимыми оказываются резистивные пленки, изготовляемые на основе диоксида олова, с нанесенными на них пленками алюминия для осуществления электрического контакта. При нагревании этой комбинации веществ обнаруживается ее термодинамическая неустойчивость ( AG0): SnO2 начинает восстанавливаться алюминием, образуется изолирующий слой А12О3, который прерывает пленку резистора. Приходится вводить промежуточный слой никеля, который не реагирует при нагреве с SnO2 ( ДОХ)) и с алюминием, обеспечивая тем самым надежный контакт. [52]
Элей и Инокучи [168] недавно сообщили о том, что отложение а а-ди-фенил - - пикрилгидразила на пленках алюминия и палладия приводит к повышению сопротивления пленок при работе с постоянным током, что позволяет предположить переход электронов от а, а-дифенил - 5-пикрилгидразила к металлу. [53]
Конденсаторы на основе пленок Та2О5, А12О3 изготавливаются методом электролитического или плазменного анодирования металла; при плазменном анодировании пленка алюминия помещается между катодом и анодом тлеющего разряда в кислородной атмосфере. Толщина пленки окисла определяется напряжением, приложенным к электролитической ванне, или при плазменном анодировании, давлением кислорода и напряжениями на аноде и окисляемом образце. [54]
Как отмечается в [12] короткая предварительная обработка кислородосодержащих поверхностей в послесвечении плазмы DMAH / H2 способствует дальнейшему осаждению пленки алюминия на обработанные поверхности. [55]
Френсис и Эллисон ( 1959) исследовали ИК-спектры монослоев жирных кислот с большой длиной цепи, осажденных на пленке алюминия, напыленного на поверхность стекла. [56]
Это он объясняет тем, что более твердая медь облегчает разрушение пленки на алюминии, - а раздвигающиеся твердые пленки алюминия увлекают пленки на меди. [57]
![]() |
Отдельные стадии фотолитографического метода изготовления оксидной маски для полупроводниковых схем [ Л. 143 ]. [58] |
После этого отверстие опять покрывается слоем окиси, затем в новом оксидном слое вытравливаются два небольших отверстия, в которые напыляются пленки алюминия. Эти алюминиевые контакты служат выводами для р-области полупроводника. При подаче на контакты внешнего напряжения через р-область начинает протекать дырочный ток. Контактное поле между р - и - областями исходного материала создает потенциальный барьер, который мешает дыркам переходить в - область. Величина дырочного тока зависит от степени легирования, формы и размеров р-области. Поэтому эта область представляет собой определенное омическое сопротивление. [59]
Для повышения чувствительности и уменьшения инерционности используется тонкий тепловой экран [120] из лавсановой пленки толщиной 3 мкм с напыленной в вакууме пленкой алюминия. Экран натягивается на эбонитовую оправку с внутренним диаметром 90 мм. Толщина слоя люминофора, нанесенного на экран, 2 - 3 мкм. [60]