Пленка - диоксид - кремний
Cтраница 2
 |
Схема организации электрических связей в матрице БМК с каналами для трассировки. [16] |
В БИС высокой степени интеграции ( десятки тысяч элементов) используется двух - и трехуровневая металлизация. В качестве межуровневого диэлектрика применяются пленки диоксида кремния. Проектирование и изготовление таких БИС усложняется. [17]
В БИС высокой степени интеграции ( десятки тысяч элементов) используется двух - и трехуровневая металлизация. В качестве межуровне-вого диэлектрика применяются пленки диоксида кремния. Проектирование и изготовление таких БИС усложняется. Например, при двухуровневой металлизации требуются четыре заказных фотошаблона для формирования окон в первом слое оксида, покрывающем элементы, первого слоя проводников, окон во втором слое оксида и второго слоя проводников. [18]
В отличие от светочувствительных слоев видиконов в качестве материала мишени кремникона используют легированный полупроводник с низким сопротивлением. На одной из поверхностей диска выращивается пленка диоксида кремния. Методом фотолитографии в ней создается матрица отверстий, а диффузией вещества с электропроводностью / мила сформированная матрица преобразуется в мозаику дискретных р-л-переходов. Непротравленные участки диоксидной пленки обеспечивают изоляцию элементов мозаики. Вывод сигнала изображения осуществляется с помощью тонкого металлического кольца, которое наносится на краевую часть диска. [19]
 |
Пробеги и дисперсии пробегов ионов В и As с энергией Е0 в SiO.| Значения коэффициента а ( примесь В, маска SiO2 Ослабление пучка QS / Q. [20] |
В качестве таких покрытий используют пленки SiO2, Si3N4, A12O3, Al, Ni, Аи и пленки фоторезистов. Чаще, чем другие, в технологии используют пленки диоксида кремния. [21]
Пассивация сплава происходит только после образования на поверхности SiO2 вследствие избирательного растворения железа. Так как коррозионная стойкость сплавов FeSi обусловлена наличием на их поверхности пленки диоксида кремния, которая устойчива во многих агрессивных средах, за исключением фтористоводородной кислоты и концентрированных щелочей, то это и определяет характер их высокой коррозионной стойкости. [22]
На рис. 2Л а показана структура кремниевого р-п-перехода, полученная методом диффузии акцепторов в полупроводник n - типа через маску из пленки диоксида кремния. Такая структура широко распространена в дискретных приборах и типична для интегральных схем. На рис. 2.1 6 представлено распределение концентраций доноров Ng и акцепторов Na по вертикали; координата х ( рис. 2.1, а) отсчитывается от поверхности в глубь полупроводника. На ней эффективная концентрация примесей ( § 1.1) равна нулю. [23]
На оставшихся участках эпитаксиального слоя и-типа создают необходимые структуры для получения активных и пассивных элементов. Так, путем двойной диффузии может быть создана планар-ная и-р-и-структура с выводами от всех электродов в одной плоскости. При образовании полупроводниковой структуры большую роль играет пленка диоксида кремния, которая предохраняет поверхности от внешних воздействий. В промежуточных операциях по изготовлению полупроводниковой структуры эта пленка служит экраном, предохраняющим от диффузии примесей те участки, в которых необходимо сохранить прежний тип проводимости. [24]
Поверхность пластины полупроводника покрыта слоем диэлектрика толщиной - 0 1 мкм. Области р также имеют металлические контакты, один из которых называют истоком И, другой - стоком С. Обычно для пластины полупроводника используют кремний, а в качестве диэлектрика - пленку диоксида кремния, выращенную на поверхности кремния путем окисления его при высокой температуре. [25]
Поверхность пластины полупроводника покрыта слоем диэлектрика толщиной - 0 1 мкм. Области р также имеют металлические контакты, один из которых называют истоком И, другой - стоком С. Обычно для пластины полупроводника используют кремний, а в качестве диэлектрика - пленку диоксида кремния, выращенную на поверхности кремния путем окисления его при высокой температуре. [26]
Пленарный процесс заключается в создании на поверхности кремния пленки диоксида кремния ( SiOj) толщиной 0 1 - 1 мкм путем окисления пластины кремния в среде кислорода при высокой температуре и проведения фотолитографической обработки. При проведении фотолитографической обработки на окисленную пластину кремния наносят слой фотоэмульсии - фоторезист - и экспонируют его через фотошаблон, содержащий множество идентичных рисунков, задающих конфигурацию элементов активных структур приборов. Затем в растворе, содержащем плавиковую кислоту, травят обнажившуюся в отверстиях фоторезиста пленку диоксида кремния - вскрывают в ней окна. Оставшийся фоторезист полностью удаляют. Далее проводят диффузию примеси. Скорость диффузии примеси в полупроводник через окно и в защитной пленке диоксида кремния ( для акцепторной примеси бора и донорных примесей фосфора или мышьяка) сильно отличается. [27]
Одним из основных факторов, определяющих нестабильность электрофизических свойств полупроводников, является наличие влаги. Другая причина нестабильности свойств поверхности связана с движением ионов щелочных металлов ( натрия, кальция, калия) в слое диоксида кремния. Они образуют в пленке диоксида кремния подвижные объемные заряды, влияющие на свойства переходов и параметры приборов, особенно при повышенных температурах. [28]
Пары воды часто специально вводят в состав окислителя кремния - это так называемое мокрое окисление. Предполагается [61], что молекулы Н20, диффундируя через пленку диоксида кремния в процессе окисления кремния, взаимодействуют с сеткой кремний-кислородных тетраэдров. [29]
Особенность фоторезиста заключается в том, что под действием ультрафиолетового излучения в нем изменяются физико-химические свойства, и он превращается в кислотостойкий слой. Незасвеченные участки удаляются проявлением. В этих местах пластины при обработке ее во фтористоводородной кислоте растворяются участки диоскида кремния, незащищенные кислотостойким фоторезистом, - в слое диоксида появляются окна. В эти окна для получения р-и-перехода проводится диффузия акиепторной примеси. Пленка диоксида кремния препятствует диффузии примесей во всю пластину. [30]
Страницы: 1 2 3