Cтраница 3
Для р-п-р-транзи - сторов будут справедливы практически все выводы, полученные при анализе процессов в рассматриваемой базовой ячейке. Для создания структуры ячейки в качестве исходного материала или подложки используется низкоомный л - слой, на обратной стороне которого создается омический контакт коллектора. На подложке эпитаксиально выращивается высокоомный коллекторный п - слой, в котором методом диффузии формируется слой р-базы. Таким образом, в структуре образуется асимметричный коллекторный р - гг-переход. Далее на поверхности р-базы проводят пленарный процесс. Он заключается а создании пленки диоксида кремния и проведении через специально вытравленные окна имплантации донорнои примеси для формирования эмиттер-ных л - областей. После этого на верхней поверхности кристалла создают металлизированные слои для выводов базы и эмиттера, разделенные изолирующими участками диоксида кремния. Таким образом создается вертикальная структура силового биполярного транзистора. Рассмотрим основные закономерности физических процессов, протекающих в данной ячейке. [31]
Правильно, навесные элементы входят в толстопленочные микросхемы. Правильно, все перечисленные и ряд других материалов. Правильно, электронный луч распыляет самые тугоплавкие металлы. Отпечаток получают при многократном уменьшении. Облученные участки такого фоторезистора растворяются. На поверхности подложки остается только пленочная схема. Активные элементы этих схем навесные. Важна также работоспособность кремния при высоких температурах. Пленка диоксида кремния имеет многоцелевое назначение. [32]