Cтраница 2
Схема тылового ( а и фронтового ( б фотоэлементов. [16] |
На границе соприкосновения полупроводника с пленкой золота образуется тонкий слой, обладающий односторонней проводимостью, так называемый вентильный или запирающий слой. Этот слой свободно пропускает электроны из полупроводника в покровную золотую пленку, но представляет большое сопротивление для электронов, стремящихся перейти обратно из золотого слоя в полупроводник. Для удобства полупроводник обычно помещают на металлическую подкладку. [17]
Тончайшая ( обычно доли микрометра) пленка золота. Иногда под з.с. подразумевают пленки из др. металлов или дисульфида олова ( SnS2), имитирующих цвет золота. [18]
Основные типы фотоэлементов. [19] |
Световой поток Ф, проходя через пленку золота, создает вентильный фотоэффект, являющийся источником самостоятельной электродвижущей силы. В силу этого вентильные фотосопротивления не нуждаются во внешнем источнике электрического питания. [20]
Фактором, определяющим степень однородности и структуру пленок золота и палладия, является скорость их образования. При малой скорости образования пленки неоднородны - состоят из кристалликов и равноосных агрегатов, сильно отличающихся по величине. Кристаллики золота имеют правильную форму преимущественно октаэдров и пирамид, а их агрегаты в относительно медленно формировавшихся пленках часто имеют довольно правильную форму шестиугольников. Вероятно, в этом случае имеют место благоприятные условия для ориентированной коагуляции. [21]
В процессе изготовления фотоэлемента между полупроводником и пленкой золота образуется очень тонкий запорный слой с односторонней проводимостью. [22]
Для калибрирования Пикар ( см. выше) рекомендует пленки золота или дымы окисей магния и цинка. [23]
В качестве контактных площадок и коммутационных проводников используют пленки золота или алюминия с подслоем хрома и ванадия, а также многокомпозиционные сплавы с разной температурой испарения составляющих. [24]
В своем хаотическом движении они частично переходят в пленку золота, а обратно вернуться не могут. Поэтому под действием света между золотом и селеном образуется разность потенциалов. [25]
Запирающий слой образуется на границе соприкосновения селена с пленкой золота. [26]
Зависимость сопротивления от температуры тонкой пленки, показывающая необратимое увеличение сопротивления, связанное со спеканием. [27] |
Эти пределы изменяются от нескольких Ом на квадрат для пленок золота до более 4000 Ом / квадрат для пленок вольфрама. [28]
Используемая решетка имеет 1200 штрих / мм, решетка покрыта пленкой золота, обратная дисперсия в первом порядке меняется от 0 173 А / лш для 80 А и до 0 273 А / лш для 400 А. [29]
Имеется сообщение [ 1Н, что ацетилацетопилдиэтилзолото в спиртовом растворе образует пленку золота как при термическом разложении, так и под действием света. [30]