Пленка - нитрид - кремний
Cтраница 1
 |
Коэффициенты диффузии. [1] |
Пленки нитрида кремния широко используются для защиты поверхностей микросхем ввиду своей прочности, влагонепроницаемое и устойчивости к действию окислителей. Это определяет их применение также в качестве масок при термическом локальном окислении кремния. Как уже отмечалось, нитрид кремния получают термическим осаждением из парогазовых смесей при пониженных давлениях и плазмохимическим осаждением. [2]
 |
Иозляции элементов ИС с помощью высокоомной подложки. [3] |
Пленка нитрида кремния толщиной 1000 А может служить маской в течение 10 ч при 1150 С. [4]
Пленки нитрида кремния имеют лучшие электрические характеристики, чем пленки диоксида кремния. Стабильность характеристик сохраняется даже при высоких температурах. Пленки нитрида кремния огнеупорны и кислотостойки. [5]
Пленки нитрида кремния, осажденные в плазмоактивирован-ных процессах, в основном используются как диффузионные барьеры, стопорные слои при химико-механической планаризации и травлении пленок оксида кремния и в качестве слоев финишной пассивации кристаллов ИМС. [6]
Экспериментальные исследования пленок нитрида кремния показали, что пленки нитрида кремния обладают лучшими защитными свойствами по отношению к ионам натрия, чем диоксид кремния; в пленках нитрида кремния намного меньше дрейф ионов, чем в диоксиде кремния. [7]
Высокая энергия бомбардирующих растущие пленки нитрида кремния частиц плазмы вызывает сжимающее механическое напряжение в пленках, величина которого может управляться с помощью ВЧ мощности в целях минимизации растрескивания пленок. В плаз-моактивированных процессах ХОГФ образуются слои нитрида кремния не стехиометрического состава, которые содержат водород и обогащены кремнием. [8]
Защита с помощью пленки нитрида кремния может осуществляться следующим образом. [9]
Обычными методами образования пленок нитрида кремния служат реакция силена и компоненту, содержащего азот, такого как аммоний или гидрозин, при определенных температурах, реактивное распыление кремния в азотной атмосфере и ВЧ распыление из мишени нитрида - кремния. Интерес к пленкам нитрида кремния обусловлен их более низкой проницаемостью диффузии различных ионов. [10]
Концентрация водорода в пленках нитрида кремния, полученных в плазмоактивированных процессах ХОГФ, зависит от условий осаждения и особенно от температуры. Например, пленки нитрида кремния, осажденные в процессе 3, при Т 400 С содержат 25 ат. [11]
На практике используются также пленки нитрида кремния Si3N4, германия G JN4, бора, оксинитрида. Согласно данным многих работ в обычном состоянии пленка Si3N4 аморфна. При охлаждении до комнатных температур р-фаза в значительной степени рекристаллизуется, однако все еще возможны включения ( i-фазы в натянутом метастабильном состоянии. [12]
Было установлено, что на качество пленок нитрида кремния, кроме давления распыляющего газа, существенно влияет и скорость нанесения пленок. На этом рисунке низкая скорость травления пленок означает их большую плотнвсть и, следовательно, высокое качество. [13]
Однако толстые ( больше 50 нм) пленки нитрида кремния не могут быть осаждены в этом процессе не только из-за низких скоростей осаждения, но из-за высоких растягивающих механических напряжений, вызывающих растрескивание пленок. Так как процесс LP HT CVD Si3N4 ( SiCl2H2 - H / NH3) реализуется в горизонтальных и вертикальных реакторах трубчатого типа, то процесс осаждения пленок нитрида кремния происходит на обе стороны пластин, и иногда требуется дополнительная операция удаления пленки Si3N4 с обратной стороны пластины. [14]
Экспериментальные исследования пленок нитрида кремния показали, что пленки нитрида кремния обладают лучшими защитными свойствами по отношению к ионам натрия, чем диоксид кремния; в пленках нитрида кремния намного меньше дрейф ионов, чем в диоксиде кремния. [15]
Страницы: 1 2 3