Cтраница 3
Структура пленок определяется температурой образования пленки. При низких температурах пленка получается аморфной и однородной. Для пассивации лучше использовать аморфные пленки, так как на границе их с подложкой возникают меньшие механические напряжения, чем на границе кристаллической пленки с подложкой. Структура поверхности пленок нитрида кремния зависит от метода получения пленки. [31]
Основные этапы изготовления МДП-транзистора методом локального окисления. [32] |
Поэтому инородные включения и нарушения стехиометрии пленки должны быть минимальны. Кроме того, заряд в пленке должен быть минимальным и стабильным по времени. Дрейф электрических параметров пленки приводит с течением времени к изменению поверхностной проводимости в канале. Пленка нитрида кремния, расположенная над пленкой двуокиси кремния, содержит большое количество ловушек, чем предохраняет пленку двуокиси от проникновения в нее ионов из внешней среды. [33]
Основные этапы изготовления МДП-транзистора методом локального окисления. [34] |
Поэтому инородные включения и нарушения стехиометрии пленки должны быть минимальны. Кроме того, заряд в пленке должен быть минимальным и стабильным по времени. Дрейф электрических параметров пленки приводит с течением времени к изменению поверхностной проводимости в канале. Пленка нитрида кремния, расположенная над пленкой двуокиси кремния, содержит большое количество ловушек, чем предохраняет пленку двуокиси от проникновения в нее ионов из внешней среды. [35]
Влияние подводимой мощности на качество пленок нитрида кремния. [36] |
В этом случае, в отличие от распыления в азоте, оказалось возможным добавлять в распылительную атмосферу относительно большие количества аргона, не изменяя стехиометрии получаемых пленок. Так, например, в атмосфере аргона, содержащей всего 2 % аммиака, получались пленки, состоящие в основном из нитрида кремния, а для получения чистых пленок нитрида кремния в распылительной атмосфере было достаточно 5 % аммиака. В противоположность этому пленки, полученные распылением мишени из кремния в атмосфере, состоящей из 5 % азота и 95 % аргона, были по существу из чистого кремния. Эта повышенная активность аммиака объясняется большей концентрацией ионов N при разряде в присутствии аммиака. Основной недостаток пленок нитрида кремния, полученных реактивным распылением в аммиаке, заключается в том, что они содержат примесь водорода, которая может влиять на некоторые диэлектрические свойства этих пленок. [37]