Пленка - окись
Cтраница 1
Пленка окиси или гидроокиси утолщается за счет ее роста на границе металл - пленка. [1]
Пленка окиси на поверхности металла образуется при сплавлении пасты за счет кислорода, содержащегося в самой пасте. Некоторое количество кислорода имеет также достуц к металлу сквозь поры пасты. Образовавшаяся после сплавления пленка стекла надежно защищает поверхность металла от дальнейшего окисления и образует основу для последующего спаивания со стеклянной деталью. Нанесение стеклянной пасты с последующим оплавлением ее представляет собой вариант эмалирования металла. [2]
Пленка окиси с поверхности медных жил удаляется путем зачистки ее до металлического блеска наждачной шкуркой или напильником ( нельзя применять для этой цели соляную кислоту. Спаиваемые медные жилы нагревают несколько выше температуры плавления припоя, в нагретом состоянии покрывают тонким слоем канифоли и в месте спайки вводят расплавленный припой. После покрытия припоем спаиваемых поверхностей по всей плоскости их соприкосновения место спайки охлаждают, зачищают напильником и изолируют, если это требуется. [3]
Пленка окиси предохраняет алюминий от дальнейшей коррозии, но создает большое переходное сопротивление в местах контакта алюминиевых проводов и делает невозможной пайку алюминия обычными методами. Для пайки алюминия применяются специальные пасты-припои. Более толстый слой окисла, который может уже дать надежную электрическую изоляцию на сравнительно высокие напряжения, получают с помощью электрохимической обработки алюминия ( фиг. [4]
 |
Зависимость напряжения пробоя от толщины нижней обкладки конденсатора при толщине слоя диэлектрика ОеО в мкм. [5] |
Пленки окиси тантала в отличие от рассмотренных выше получают анодным окислением. Эти пленки характеризуются диэлектрической проницаемостью, изменяющейся в диапазоне 16 - 25, и малой дефектностью. Важным преимуществом анодно-окисляемых пленок является возможность строгого контроля толщины пленки в процессе ее получения, поскольку последняя является однозначной функцией приложенного напряжения. [6]
Пленка окиси тантала имеет е 25, что превышает диэлектрическую проницаемость окиси алюминия в 2 5 раза. Значительное увеличение удельной емкости на единицу объема получается при использовании объемно-пористого анода, который изготавливают из порошка тантала методом спекания. За счет пористой структуры поверхность электрода увеличивается, что позволяет получить при малых габаритах конденсаторы с большим значением емкости ( 10 - 1000 мкФ) при рабочем напряжении порядка 90 - 6 В. Такое малое рабочее напряжение не является препятствием к широкому применению конденсаторов, так как в современной микроминиатюрной радиоэлектронной аппаратуре часто используются источники питания с напряжением 5 В. [7]
Пленки окиси свинца могут быть эффективными твердыми смазками для определенных марок стали в широком диапазоне температур и скоростей скольжения. [8]
Пленка окиси тантала не может считаться совершенно идеальной в отношении отсутствия в ней сквозных пор, хотя качество ее в этом отношении значительно лучше, чем пленки окиси алюминия. Наличие подобных пор может быть обусловлено как присутствием инородных загрязнений на поверхности тантала, так и несовершенством решетки окиси тантала в отдельных участках. [9]
Пленка окиси никеля имеет температуру плавления выше температуры металла, что затрудняет самопроизвольное сплавление. [10]
Пленки окиси бора могут быть получены также пиролизом других а. С или при окислении ал киль-ных соединений бора в токе кислорода или углекислого га. [11]
 |
Конденсатор типа ЭМ.| Конденсатор типа ЭТО. [12] |
Пленка окиси тантала имеет ess 25, что превышает, примерно, в 2 5 раза значение е для окиси алюминия. [13]
Появление пленки окиси на поверхности контактов разъединителей увеличивает их переходное сопротивление, что ведет к чрезмерному нагреву, который легко установить по появлению на них цветов побежалости. Дефект устраняется зачисткой контактов мелкозернистой стеклянной шкуркой. Очищенную поверхность контакта покрывают тонким слоем технического вазелина. [14]
Напыление пленок окиси цинка гораздо труднее из-за того, что давления паров компонент сильно отличаются друг от друга. [15]
Страницы: 1 2 3 4